ddr2筆記本內(nèi)存條,ddr2筆記本內(nèi)存條 2g多少錢(qián)

我的聯(lián)想筆記本是08年的，有兩個(gè)內(nèi)存插槽，都插著DDR21g的內(nèi)存條，能不能直接換成兩個(gè)DDR3的內(nèi)存條。

不能。

ddr2和ddr3接口不兼容，DDR2和DDR3內(nèi)存針腳數(shù)量同為240針，但是DDR2內(nèi)存條金手指中間的“缺口”位置相比DDR3更為靠近中央。

DDR2二代和DDR3三代的針腳接位置不一樣，互相是沒(méi)法兼容的，插不上去，之前是DDR2二代內(nèi)存條組建雙通道，DDR3不適用。

此外在內(nèi)存的功能上看，DDR2內(nèi)存電壓為1.8V，DDR3內(nèi)存電壓為1.5V，DDR2和DDR3內(nèi)存是不能兼容的。

擴(kuò)展資料

DDR2與DDR3內(nèi)存插槽不一樣，要想用現(xiàn)在比較便宜的DDR3內(nèi)存條，可以把主板換成支持DDR3內(nèi)存的主板。

DDR3內(nèi)存已成為主流內(nèi)存，更快的讀取速度和低功耗的優(yōu)點(diǎn)無(wú)一不讓DDR2用戶(hù)垂涎三尺，更換DDR3DIMM插槽的主板，意味著要付出更大的代價(jià)。

因此就出現(xiàn)了D2/D3雜交主板，換而言之，一塊D2/D3雜交主板必定既要支持DDR2內(nèi)存，也要支持DDR3內(nèi)存，那么在內(nèi)存插槽的設(shè)計(jì)上，目前市售主板都以4個(gè)DIMM插槽為主，因此，為兼顧到DDR2和DDR3內(nèi)存，D2/D3雜交主板一般提供DDR2內(nèi)存插槽和DDR3內(nèi)存插槽各2根。

兩個(gè)電腦內(nèi)存條能否更換要確保2臺(tái)電腦使用的內(nèi)存條是同一類(lèi)型的，比如都是DDR31600的，或者都是DDR2800的；要確保芯片支持最大的內(nèi)存容量，有些芯片組支持的內(nèi)存容量最大不超過(guò)8G，如果裝上超過(guò)8G就容易出錯(cuò)。

筆記本內(nèi)存條DDR2和DDR3有什么區(qū)別，求高人指點(diǎn)。

一、工藝不同

1、DDR2：DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)，并且能夠以?xún)?nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。

2、DDR3：采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準(zhǔn)功能。

二、性能不同

1、DDR2：到CPU的前端總線（FSB）接口，到GPU的圖形總線接口，外設(shè)I/O總線和主存儲(chǔ)器總線。為使系統(tǒng)性能最優(yōu)化，F(xiàn)SB、圖形總線和主存儲(chǔ)器總線應(yīng)該各自工作在大致相當(dāng)?shù)膸捝稀?/p>

2、DDR3：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度彌補(bǔ)了延遲時(shí)間較長(zhǎng)的缺點(diǎn)，同時(shí)還可作為顯卡的賣(mài)點(diǎn)之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現(xiàn)。

三、封裝不同

1、DDR2：標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-Ⅱ封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性。

2、DDR3：在引腳方面會(huì)有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝。必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質(zhì)。

參考資料來(lái)源：百度百科-DDR3

參考資料來(lái)源：百度百科-DDR2

內(nèi)存卡DDR1，DDR2，DDR3，DDR4都有什么區(qū)別，什么意思？

內(nèi)存卡DDR1，DDR2，DDR3，DDR4區(qū)別為：功能不同、傳輸速率不同、電壓頻率不同。

一、功能不同

1、DDR1：DDR1在單一周期內(nèi)可讀取或?qū)懭?次。

2、DDR2：DDR2新增了BankGroup數(shù)據(jù)組的設(shè)計(jì)，各個(gè)BankGroup具備獨(dú)立啟動(dòng)操作讀、寫(xiě)等動(dòng)作特性。

3、DDR3：DDR3新增ASR（AutomaticSelf－Refresh）、SRT（Self－RefreshTemperature）等兩種功能，讓內(nèi)存在休眠時(shí)也能夠隨著溫度變化去控制對(duì)內(nèi)存顆粒的充電頻率，以確保系統(tǒng)數(shù)據(jù)的完整性。

4、DDR4：DDR4增加了DBI（DataBusInversion）、CRC（CyclicRedundancyCheck）、CAparity等功能，讓DDR4內(nèi)存在更快速與更省電的同時(shí)亦能夠增強(qiáng)信號(hào)的完整性、改善數(shù)據(jù)傳輸及儲(chǔ)存的可靠性。

二、傳輸速率不同

1、DDR1：DDR1的傳輸速率介于266～400MT／s之間。

2、DDR2：DDR2的傳輸速率介于533～800MT／s之間。

3、DDR3：DDR3的傳輸速率介于1066～1600MT／s之間。

4、DDR4：DDR4的傳輸速率介于2133～3200MT／s之間。

三、電壓頻率不同

1、DDR1：DDR1使用的電壓是2．5V，頻率有200、266、333、400四種。

2、DDR2：DDR2使用的電壓是1．8V，頻率有533，667，800三種。

3、DDR3：DDR3使用的電壓是1．5V。頻率有1066、1333、1600、2133四種。

4、DDR4：DDR4使用的電壓是1．2V。頻率有3000、2666、3200、2400、2933五種。

擴(kuò)展資料：

內(nèi)存條區(qū)分方法：

1、DDR1，也就是一代內(nèi)存條。這種內(nèi)存條的內(nèi)存顆粒足足有二代三代的兩倍，一看就知道是落后工藝，舊時(shí)代的產(chǎn)品。配有一代內(nèi)存的電腦，cpu是單核的，配著IDE接口的硬盤(pán)，看視頻無(wú)法流暢觀看。

頻率為400MHZ,容量只有512M，也就是0.5G。頻率才是關(guān)鍵。一代內(nèi)存條的頻率有333MHZ和400MHZ，所以標(biāo)簽上的400就足以證明它是一代內(nèi)存條。容量不是關(guān)鍵，一代內(nèi)存條有1G容量的，三代內(nèi)存條也有1G容量的。

2、二代內(nèi)存條有533,667,800三種頻率。它們都屬于二代內(nèi)存條，外觀，接口都是一樣的，相互兼容，可以共用。只不過(guò)高頻率的內(nèi)存條要遷就低頻率的內(nèi)存條。假如一臺(tái)電腦上同時(shí)插有800MHZ和533MHZ的兩條內(nèi)存條，那電腦就只能工作在533MHZ頻率下，性能上會(huì)有點(diǎn)折損。

3、三代內(nèi)存條的頻率一般有1066，1333,1600,2133,用得比較多的是1333，1600。是市場(chǎng)比較流行的。

4、上面的較長(zhǎng)內(nèi)存條是臺(tái)式機(jī)電腦用的。筆記本內(nèi)存條為了適應(yīng)筆記本的大小，做成短的。主要辨別方法也是看標(biāo)簽。

5、筆記本的內(nèi)存條相信是比較容易區(qū)分一二三代的。只需看PC這個(gè)字樣就OK了。PC代表一代，PC2代表二代，PC3代表三代。ddr400后面的頻率是200MHZ，因?yàn)镈DR是雙倍速率的，實(shí)際速率還是400MHZ.

ddr2內(nèi)存條最大容量

DDR2內(nèi)存單條最大只有4G的，但是大部分二代主板都不支持單條4GB的內(nèi)存。能裝幾條要看你的主板支持幾條，最大支持多少GB的內(nèi)存。

1、DDR2的主板，支持多大內(nèi)存，要看主板的芯片組以及廠家的bios的設(shè)定。

2、DDR2代的主板，一般都可以支持到單條4G的內(nèi)存。如果是臺(tái)式機(jī)，4個(gè)內(nèi)存插槽，就可以支持4x4=16G的總內(nèi)存。

3、一些大品牌的廠家的頂級(jí)主板，可以支持到8GB的單條內(nèi)存。所以，DDR2并沒(méi)有4+2的限制?？赡軅€(gè)別主板有問(wèn)題，但不是通行的規(guī)律。

簡(jiǎn)介。

由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOPⅡ封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來(lái)頻率的發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

回想起DDR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個(gè)人電腦的DDR200經(jīng)過(guò)DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過(guò)常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度。

隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對(duì)內(nèi)存帶寬的要求是越來(lái)越高，擁有更高更穩(wěn)定運(yùn)行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢(shì)所趨。