筆記本的內(nèi)存分為幾種,筆記本內(nèi)存分幾類

筆記本電腦內(nèi)存和內(nèi)存類型

筆記本的內(nèi)存大體可以分為EDO、SDRAM、DDR三種。幾大知名內(nèi)存廠家及代號：現(xiàn)代電子(Hynix)：HY，三星(SAMSUNG)：KM或M，NBM：AAA，西門子(SIEMENS)：HYB，高士達LG-SEMICON：GM，三菱(MITSUBISHI)：M5M，富士通(FUJITSU)：MB，摩托羅拉(MOTOROLA)：MCM，MATSUHITA：MN，OKI：MSM，美凱龍(MICRON)：MT，德州儀器(TMS)：TI，東芝(TOSHIBA)：TD或TC，日立(HITACHI)：HM，STI：TM，日電(NEC)：UPD，IBM：BM，NPNX：NN。

EDO內(nèi)存：這種內(nèi)存主要用于古老的MMX和486機型上面，也有部分廠家在PII的筆記本電腦中仍然使用EDO內(nèi)存，這種EDO單條最高容量只有64M，而且由于EDO內(nèi)存的工作電壓為5V和現(xiàn)在常用的SDRAM的3.3V相比更費電一些，所以很快就被SDRAM內(nèi)存所取代。

SDRAM內(nèi)存：筆記本經(jīng)歷了Pentium時代，CPU的速度已經(jīng)越來越快，這時Intel公司提出了具有里程碑意義的內(nèi)存技術----SDRAM。SDRAM的全稱是SynchronousDynamicRandomAccessMemory(同步動態(tài)隨即存儲器)，就象它的名字所表明的那樣，這種RAM可以使所有的輸入輸出信號保持與系統(tǒng)時鐘同步。由于SDRAM的帶寬為64Bit，因此它只需要一條內(nèi)存就可以工作，數(shù)據(jù)傳輸速度比EDO內(nèi)存至少快了25％。SDRAM包括PC66、PC100、PC133等幾種規(guī)格。

DDR內(nèi)存：顧名思義：DoubleDataRate(雙倍數(shù)據(jù)傳輸)的SDRAM。隨著臺式機DDR內(nèi)存的推出，現(xiàn)在筆記本電腦也步入了DDR時代，目前有DDR266和DDR333等規(guī)格，現(xiàn)在在主流的采用Pentium4-M、Pentium-M、P4核心賽揚的機器都是采用DDR內(nèi)存，也有少量的Pentium3-M的機器早早跨入DDR時代。其實DDR的原理并不復雜，它讓原來一個脈沖讀取一次資料的SDRAM可以在一個脈沖之內(nèi)讀取兩次資料，也就是脈沖的上升緣和下降緣通道都利用上，因此DDR本質上也就是SDRAM。而且相對于EDO和SDRAM，DDR內(nèi)存更加省電（工作電壓僅為2.25V）、單條容量更加大

筆記本電腦內(nèi)存有幾種

籠統(tǒng)的說有兩種，一種是低壓條，一種是標壓條。低壓的是型號上面帶L，標壓的不帶

再有就是分幾代。有一代，二代，三代，四代。最新的就是四代的內(nèi)存條。

分別為DDR1/DDR2/DDR3/DDR4。低壓條就是DDR4L/DDR3L這樣開頭的。

再然后就是頻率不一樣。

電腦內(nèi)存條分幾種？如何分辨？

根據(jù)存儲單元的工作原理不同，電腦內(nèi)存條RAM分為靜態(tài)RAM和動態(tài)RAM。

1、靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）

靜態(tài)存儲單元為在靜態(tài)觸發(fā)器的基礎上附加門控管而構成的。因此，它是靠觸發(fā)器的自保功能存儲數(shù)據(jù)的。SRAM存放的信息在不停電的情況下能長時間保留，狀態(tài)穩(wěn)定，不需外加刷新電路，從而簡化了外部電路設計。但由于SRAM的基本存儲電路中所含晶體管較多，故集成度較低，且功耗較大。

2、動態(tài)隨機存儲器（DRAM）

DRAM利用電容存儲電荷的原理保存信息，電路簡單，集成度高。由于任何電容都存在漏電，因此，當電容存儲有電荷時，過一段時間由于電容放電會導致電荷流失，使保存信息丟失。

解決的辦法是每隔一定時間（為2ms）須對DRAM進行讀出和再寫入，使原處于邏輯電平“l(fā)”的電容上所泄放的電荷又得到補充，原處于電平“0”的電容仍保持“0”，這個過程叫DRAM的刷新。

分辨方法：SRAM存儲原理：由觸發(fā)器存儲數(shù)據(jù)。單元結構：六管NMOS或OS構成。優(yōu)點：速度快、使用簡單、不需刷新、靜態(tài)功耗極低；常用作Cache。缺點：元件數(shù)多、集成度低、運行功耗大。

DRAM存儲原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之后：單管基本單元）。刷新（再生）：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，必須定時給柵極電容補充電荷的操作。

擴展資料

內(nèi)存采用半導體存儲單元，包括隨機存儲器（RAM），只讀存儲器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。只不過因為RAM是其中最重要的存儲器。

（synchronous）SDRAM同步動態(tài)隨機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的內(nèi)存。

SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，每一個時鐘脈沖的上升沿便開始傳遞數(shù)據(jù)，速度比EDO內(nèi)存提高50%。

DDR（DOUBLEDATARATE）RAM：SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品，他允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。

參考資料來源：百度百科-內(nèi)存

參考資料來源：百度百科-隨機存取存儲器