筆記本ddr5內(nèi)存條,筆記本內(nèi)存條品牌哪個(gè)好

DDR5才是原配，一根要比兩根強(qiáng)？威剛D5內(nèi)存上手分享

現(xiàn)在DIY圈子簡直太熱鬧了，Intel第12代CPU發(fā)布之后，10代和11代依舊在產(chǎn)，內(nèi)存也正在經(jīng)歷D4到D5的過渡，各大OEM廠商推出的Z690版型都有D4和D5兩個(gè)版本。

該如何下手？答案很簡單，如果你不追求極致性能，怎么便宜怎么來，應(yīng)該說從Intel推出8代U后，性能提升并沒有太明顯，直到第12代推出后才出現(xiàn)一次性能飛躍。

如果你很幸運(yùn)搶到了一塊第12代CPU，比如我，搶到了一塊i9-12900K，那就別跟我說什么D4主板了，必須DDR5伺候，哪怕上一根，也必須D5主板。

在i9-12900K到手后，就滿市場找DDR5內(nèi)存，今天就讓這兩條威剛?cè)f紫千紅系列的DDR5內(nèi)存亮亮相，默認(rèn)4800頻率，兩根16GB共32GB組成雙通道。

為了入手這兩根DDR5內(nèi)存可是費(fèi)了不少功夫，畢竟現(xiàn)在一條難求，今天也是給糾結(jié)D5主板還是D4主板的玩家做一個(gè)試水，看看DDR5內(nèi)存的提升有多大。

威剛D5內(nèi)存簡評：

在包裝方面，雖然身為高貴的DDR5內(nèi)存，但是威剛還是延續(xù)了傳統(tǒng)設(shè)計(jì)，只有通過左下角可以看到，這就是戰(zhàn)未來的DDR5內(nèi)存套條。

迫不及待拆開包裝，威剛DDR5內(nèi)存的真容就在眼前了，在外觀上，金手指的變化無需多言，主要是內(nèi)存上面多了很多芯片。

這些芯片就是內(nèi)存的電源管理IC，原來D4內(nèi)存的電源管理IC都是通過CPU和主板控制，以后D5的電源控制芯片都集成在內(nèi)存條本體上，成本提升了，但內(nèi)存的電源控制更精準(zhǔn)，也更考驗(yàn)各家OEM廠商的調(diào)教。

至于眾多玩家關(guān)注的性能提升，這條威剛D5內(nèi)存的等效頻率達(dá)到4800MHz，這還只是等效頻率，沒有算XMP超頻后的頻率。在D4內(nèi)存上，最高的等效頻率不過3200MHz，而這正是D5內(nèi)存的起點(diǎn)，頻率更高，性能的提升自然肉眼可見。

更厲害的是，頻率雖然高了，但工作電壓反而更低，D5內(nèi)存的工作電壓只有1.1V，相比D4內(nèi)存的1.2V低了0.1V，看似不高，但如果用在筆記本上，對功耗還是有影響。

關(guān)于影響內(nèi)存性能的因素中，除了頻率之外，另外一個(gè)就是帶寬，直接影響因素就是雙通道、單通道對帶寬的影響。

在D5內(nèi)存中，傳統(tǒng)意義的單通道內(nèi)存將消失，因?yàn)閱螚lD5內(nèi)存就將位寬由64bit切割成32bit*2，換而言之就是單條D5內(nèi)存自帶“雙通道”。不過需要明確的是，單條D5內(nèi)存只會(huì)激活一個(gè)內(nèi)存控制器，所以這個(gè)”雙通道“和D4雙通道在性能上還是有差距。

但是，如果同容量的兩條D5內(nèi)存與兩條D4內(nèi)存相比，帶寬可以提高4倍之多，這對讀寫性能的影響非常大。

在D5內(nèi)存中，還有一個(gè)東西會(huì)消失，就是8GB以及以下容量的內(nèi)存條。D5內(nèi)存的單條起點(diǎn)容量就是16GB，這次入手的兩條威剛D5內(nèi)存是16GB*2，因?yàn)榧軜?gòu)的變化，D5內(nèi)存的單Die容量是D4的4倍之多。

在不遠(yuǎn)的未來，64GB的內(nèi)存容量應(yīng)該會(huì)成為DIY游戲主機(jī)的標(biāo)配，32GB也會(huì)變成輕薄筆記本內(nèi)存的標(biāo)配。

說了這么多，還是要裝機(jī)實(shí)際測試一下才能知道性能如何，使用的主板同樣是尊貴的微星MEGZ690UNIFY，對這兩條威剛的萬紫千紅D5內(nèi)存可以完美支持。

性能測試：

▼開機(jī)后查看了一下系統(tǒng)占用，i9-12900K的默認(rèn)頻率維持在4.75Ghz，內(nèi)存占用為5.5GB，內(nèi)存頻率是默認(rèn)的4800MHz。

▼查看內(nèi)存的詳細(xì)信息，CPU-Z的版本是1.97.0，在這個(gè)版本下依舊識(shí)別出來是四通道，威剛的萬紫千紅DDR5內(nèi)存最高頻率為4800，在默認(rèn)頻率下的時(shí)許為42-40-40-77。

▼在4800MHz頻率進(jìn)行一個(gè)簡單的跑分，讀取速度已經(jīng)達(dá)到75000MB/s的程度，寫入性能也接近70000MB/s，相較于D4內(nèi)存提升明顯，不過延遲偏高也是現(xiàn)在所有D5內(nèi)存的一個(gè)問題。

▼雖然在默認(rèn)頻率下性能已經(jīng)非常強(qiáng)，但不超頻確實(shí)有些浪費(fèi)，開啟XMP，頻率自動(dòng)提高到5200MHz，時(shí)許變?yōu)?8-38-38-77。

▼在5200MHz頻率下再跑一次，讀取速度已經(jīng)突破80000MB/s，寫入速度和拷貝速度均達(dá)到75000MB/s的水準(zhǔn)，延遲也降低到80.5ns。

生產(chǎn)力軟件測試：

▼打開lightroom進(jìn)行日常的編輯工作，i9-12900K雖然是一顆新CPU，但是調(diào)度非常積極，頻率可以輕松跑在4.66Hz，內(nèi)存占用也來到15.5GB，32GB的容量綽綽有余。

▼因?yàn)镃PU的調(diào)用比較積極，威剛的萬紫千紅D5內(nèi)存頻率高且?guī)拑?yōu)勢明顯，在導(dǎo)入這些RAW格式圖片既無損視頻素材時(shí)沒有任何卡頓的感覺。

▼在日常使用中，通過主板XMP自動(dòng)將內(nèi)存超頻到5200MHz，無論是素材的導(dǎo)入還是導(dǎo)出都沒有卡頓，畢竟Adobe旗下的生產(chǎn)力軟件對內(nèi)存還是比較敏感，放到D4內(nèi)存多少會(huì)有一些延遲或者卡頓的情況。

▼隨著導(dǎo)入素材的增加內(nèi)存占用還會(huì)增加，16GB的容量放到現(xiàn)在肯定沒有辦法滿足生產(chǎn)力的需求，隨便導(dǎo)入一些素材就達(dá)到10GB+，Adobe三件套肯定都是32GB起步了。

總結(jié)：

通過測試應(yīng)該可以看出來，這兩條威剛的萬紫千紅D5內(nèi)存對比D4內(nèi)存是全方位的碾壓，內(nèi)存頻率起步更高，自帶雙通道在數(shù)據(jù)交換時(shí)有明顯的性能優(yōu)勢。雖然是普條，但做工依舊保持了萬紫千紅系列的高標(biāo)準(zhǔn)，如果能搶到一套還是非常不錯(cuò)的。

至于開頭的問題，D5內(nèi)存的起點(diǎn)就是D4內(nèi)存的終點(diǎn)，如果你已經(jīng)決定要上第12代CPU，在預(yù)算范圍內(nèi)，上D5版型才能發(fā)揮真正的性能。最后就是，如果真的買不到套條，要么做等等黨，要么先買一根，未來再升級，D4主板只能是過渡，明年大批量D5內(nèi)存上市，你手持D4主板就只能望洋興嘆。

筆記本可以用DDR5的內(nèi)存嗎

可以的，首先是DDR5內(nèi)存理論性能提升巨大，實(shí)際體驗(yàn)相差無幾，沒有必要盲目追求新的舍棄舊的。

DDR5內(nèi)存基于協(xié)議的更新，制造工藝和內(nèi)部結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型，使得全新DDR5世代下，內(nèi)存的基礎(chǔ)頻率大都以4800MHz左右為起步，和DDR4時(shí)代的2133/2400MHz的入門頻率相比，有了雙倍的提升；頻率的提升，使得DDR5內(nèi)存在理論跑分上有了質(zhì)的飛躍，無論是在讀取測試、寫入測試，還是復(fù)制、延時(shí)方面。從跑分結(jié)果而言，DDR5無疑是超前，提升更是巨幅的。

ddr5內(nèi)存：

1、等效率倍增，電腦跑的更快

DDR5最耀眼的技術(shù)升級就是等效頻率的提升，從2133MHz直接提升到了4800MHz，隨著目前對于DDR5的優(yōu)化調(diào)節(jié)，未來或能達(dá)到6400MHz。頻率的提升讓DDR5內(nèi)存的跑分有質(zhì)的飛躍，無論是在讀寫測試還是在復(fù)制黏貼上，DDR5的曲線圖無疑是最高的那個(gè)。

2、更低的工作電壓和更強(qiáng)的超頻

如果說性能的翻倍是最明顯的技術(shù)升級，那么后續(xù)的內(nèi)部技術(shù)和升級修正則是更深層次的超越。其中工作電壓就是其中一個(gè)重要部分。DDR5的工作電壓可以低至1/1V，與DDR4的1.2V相比，降低了20%左右，這其中又有兩個(gè)意義。

第一個(gè)是功耗，對于筆記本電腦來說，降低了20%具有明顯的節(jié)能意義。第二個(gè)是超頻，降低了啟動(dòng)電壓，可以讓后續(xù)的超頻參數(shù)有更大的空間去操作，以此來提升內(nèi)存的超頻潛力。

3、糾錯(cuò)能力更強(qiáng)，運(yùn)行更穩(wěn)定

現(xiàn)在隨著drAM芯片密度不斷增加，導(dǎo)致數(shù)據(jù)的泄漏和數(shù)據(jù)錯(cuò)誤增加，尤其是企業(yè)級別的運(yùn)作，為了可以避免數(shù)據(jù)錯(cuò)誤頻繁發(fā)生，業(yè)界引入了ECC糾錯(cuò)機(jī)制來規(guī)避風(fēng)險(xiǎn)，達(dá)到提高可靠性和降低缺陷率。

ddr5內(nèi)存是什么意思

DDR5是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時(shí)每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預(yù)取的BankGroup數(shù)量以改善性能等。

還沒有正式支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái)，AMD預(yù)計(jì)會(huì)在2021年的Zen4處理器上更換插槽，支持DDR5內(nèi)存，而Intel這邊14nm及10nm處理器都沒有明確過DDR5內(nèi)存支持，官方路線圖顯示2021年的7nm工藝SapphireRapids處理器才會(huì)上DDR5，而且是首發(fā)服務(wù)器產(chǎn)品，消費(fèi)級的估計(jì)還要再等等。

DDR5的主要特性

1、等效頻率提升

大家最能感受到的等效頻率的提升，直接從“2133MHz”增長至“4800MHz”，隨著當(dāng)下DDR5內(nèi)存調(diào)參的深入，6400MHz或?qū)⒊蔀橹髁魉健?/p>

2、DRAM容量提升

內(nèi)存的DRAM容量也是此次DDR5內(nèi)存技術(shù)提升的重點(diǎn)方向，在JEDEC的DDR4規(guī)范中，單顆內(nèi)存Die最大容量只有16Gb，而到了DDR5時(shí)代，單顆Die的容量上到64Gb的高度。