筆記本標壓內(nèi)存和低壓內(nèi)存,筆記本標壓內(nèi)存和低壓內(nèi)存的區(qū)別

筆記本電腦內(nèi)存低壓的可以插標壓的嗎

筆記本電腦低壓內(nèi)存是不能插標壓的。

不同類型的內(nèi)存，正常工作需要的電壓值不同，但各自均有自己的規(guī)格，超出其規(guī)格，容易造成內(nèi)存損壞。筆記本硬件要求嚴格，穩(wěn)定性要求高。換用標壓內(nèi)存，筆記本功耗增加，影響穩(wěn)定性。

擴展資料

續(xù)航一直是筆記本不斷追求的核心賣點，CPU通過不斷降低的TDP來延長續(xù)航時間，而內(nèi)存條則借助不斷降低的電壓來減小電池的消耗。從最早的SD內(nèi)存(3.3V)、DDR1(2.6V)、DDR2(1.8V)、DDR3(1.5V)再到DDR3L(1.35V/1.28V)以及DDR3U(1.25V)，內(nèi)存的“升級史”其實也是電壓的“降級史”，其目的就是減小耗電量和降低發(fā)熱量（性能不受影響）。

筆記本用戶在升級內(nèi)存時要看清說明，有的筆記本只支持低壓內(nèi)存。低壓內(nèi)存就是為筆記本等這樣對于重量和續(xù)航有一定要求的設備設計的，所以購買內(nèi)存時千萬要注意，不要不小心購買了PC的標壓內(nèi)存，回頭筆記本卻不能用，造成了經(jīng)濟上的損失。

參考資料來源：太平洋網(wǎng)絡-千萬別買錯！內(nèi)存的標壓和低壓大不同

筆記本內(nèi)存的低電壓版，和普通的有什么區(qū)別

一、電壓值不同

1、低電壓版：工作電壓都在2.5伏左右，上下浮動額度不超過0.2伏。

2、普通電壓版：工作電壓都在3.3伏左右，上下浮動額度不超過0.3伏。

二、性能不同

1、低電壓版：低壓內(nèi)存性能要比普通電壓內(nèi)存性能差。

2、普通電壓版：標壓內(nèi)存相比低壓內(nèi)存，性能強了大約10-15%左右。

三、節(jié)能性不同

1、低電壓版：低壓內(nèi)存比標壓內(nèi)存節(jié)能2W左右。

2、普通電壓版：標壓內(nèi)存比低壓內(nèi)存要費電。

參考資料來源：百度百科-內(nèi)存

參考資料來源：百度百科-內(nèi)存電壓

低壓內(nèi)存和標壓內(nèi)存哪一個比較好

低壓內(nèi)存和標壓內(nèi)存哪一個比較好?提到為筆記本進行升級，很多人的第一個念頭是為筆記本加裝內(nèi)存實現(xiàn)運行速度的提升。而某些淘寶店明確指出，英特爾第四代Haswell架構酷睿處理器只能使用1.35V低電壓內(nèi)存。那么這個說法是否屬實呢?低電壓內(nèi)存的兼容性如何?它與標壓內(nèi)存又有哪些不同?下面我給大家介紹下兩者的區(qū)別和優(yōu)劣，希望對大家有幫助!

低壓內(nèi)存和標壓內(nèi)存哪一個比較好?

●測試平臺簡介

首先我們針對低壓內(nèi)存的兼容性進行測試，本次測試是為探究處理器規(guī)格與內(nèi)存電壓規(guī)格之間的關系，所以我們選擇了四款配備不同處理器的筆記本進行測試。分別是配備了i7-4700MQ的神舟K710C，配備了i7-4500U的戴爾靈越155000，配備了i5-4200H的聯(lián)想Y50和配備了i5-4200U的東芝U40A。大家應該已經(jīng)注意到了，我們的測試處理器為英特爾中高端產(chǎn)品中的標壓和低壓兩種規(guī)格，由于目前配備了i3處理器的機器不多，所以我們在測試中沒有使用i3芯筆記本。

聯(lián)想Y50i5-4200H

東芝U40i5-4200U

神舟K710Ci7-4700MQ

戴爾靈越155000i7-4500U

●測試內(nèi)存簡介

在本次測試中，前前后后我們使用了8種不同型號一共14條內(nèi)存產(chǎn)品進行了測試，這個選題從2月份就提了出來，為了獲得更多的測試結果以達到最準確的結論一直拖到今天才完成。由于測試周期冗長，所以前期測試的筆記本與后期測試的筆記本沒能夠使用同樣的內(nèi)存進行測試，但好在其并不影響測試結果。所以最終的測試結果依然是值得參考的。

●測試方案

將幾款不同的內(nèi)存分別裝在不同處理器的機器后開機，觀察是否能夠正常啟動并進入系統(tǒng)，如果能夠進入操作系統(tǒng)則運行CPU-Z和AID64查看內(nèi)存運行狀態(tài)以觀察內(nèi)存是否完美兼容。

●測試結果

我們可以看到，兩款標壓處理器的結果均為YES，可以完美兼容運行。而兩款低壓處理器則沒能在1.5V內(nèi)存下開機進入操作系統(tǒng)。我們可以初步判定，低壓處理器只能使用低壓內(nèi)存條，而標壓處理器則可以完美兼容低壓和標壓內(nèi)存。用戶在購買內(nèi)存產(chǎn)品時需要多加注意。

性能差異不大/發(fā)熱表現(xiàn)優(yōu)秀標壓低壓對比測試

●標壓內(nèi)存和低壓內(nèi)存的性能對比

與標壓和低壓處理器一樣，提到電壓規(guī)格的不同，我們想的第一件事情就是電壓的差異是否會帶來性能上的差距。本次測試所用標壓內(nèi)存為1333MHz，低壓內(nèi)存為1600MHz，沒能保證唯一變量是內(nèi)存電壓有所遺憾，但我們已經(jīng)知道，內(nèi)存頻率不同帶來的性能差距是非常小的，所以對于本次測試，它對結果的影響不會太大。測試結果依然具有參考有意義。我們使用AIDA64的內(nèi)存測試工具進行跑分測試，分四種不同的組合方式，測試筆記本為聯(lián)想Y50，其測試結果下。

南亞4GB單條測試成績(1.35V)

海盜船4GB單條測試成績(1.5V)

在單條跑分測試中，標壓海盜船內(nèi)存條以微弱的優(yōu)勢取勝，雖然其讀取成績超過南亞低壓內(nèi)存條，但是在寫入測試中有所失利，在其它環(huán)節(jié)中二者互有勝負，但是總體而言成績相差并不明顯，這些差異我們僅能夠在專業(yè)的測試軟件中通過數(shù)據(jù)感知，在實際使用過程中幾乎沒有影響。

既然單條成績差異不大，我們再來看雙通道情況下的測試成績，由于我們現(xiàn)有的另外一條標壓內(nèi)存為2GB容量，所以在本環(huán)節(jié)中采用2根低壓內(nèi)存同低壓+標壓內(nèi)存的混搭方式進行對比。

南亞8GB雙通道測試成績(1.35V)

南亞4GB+海盜船4GB雙通道測試成績(混搭)

在這一環(huán)節(jié)中，兩根低壓內(nèi)存組成的雙通道在讀取、寫入和復制環(huán)節(jié)中都有大幅優(yōu)勢，而在L1、L2以及L3級緩存的測試中則沒有太多差別。由于兩根低壓內(nèi)存的時序以及頻率等都完全相同，所以其成績表現(xiàn)是符合預期標準的。而標壓和低壓內(nèi)存的混搭組合帶來了太多的變量，但其成績也沒有太過糟糕。我們不推薦這樣的內(nèi)存組合方式，但是在最大化節(jié)省升級資金的情況下，采用原有內(nèi)存+新低壓內(nèi)存的組合也不會對性能造成太大影響。

●標壓內(nèi)存與低壓內(nèi)存發(fā)熱量對比

性能方面我們已經(jīng)確定標壓內(nèi)存和低壓內(nèi)存的差別并不是非常大，而眾多廠家選擇使用低壓內(nèi)存更多的原因是由于低壓內(nèi)存相比標壓內(nèi)存擁有更客觀的發(fā)熱量，這一點對于輕薄筆記本來說至關重要。同樣，我們采用實際測試的方式進行對比，測試所用筆記本為Acer4750G。

選擇Acer4750G進行溫度測試是因為其內(nèi)存卡槽位于左手掌托下端，手掌能夠比較容易地感知到這部分的溫度，檢測起來也比較容易。測試環(huán)境溫度在26度左右。開機后使用AIDA64軟件的內(nèi)存測試工具進行4次測試把內(nèi)存溫度升高，使用溫槍對內(nèi)存上方位置進行檢測，取最高溫度拍照。然后打開內(nèi)存蓋直接檢測內(nèi)存顆粒溫度，最后將內(nèi)存拔出后迅速檢測兩條內(nèi)存間位置的內(nèi)存顆粒溫度。

標壓內(nèi)存溫度測試

低壓內(nèi)存溫度測試

可以看到，無論在哪個環(huán)節(jié)中低壓內(nèi)存的發(fā)熱表現(xiàn)都比標壓內(nèi)存更加優(yōu)秀，在滿載時候的標壓內(nèi)存比低壓內(nèi)存整整高出了4.6攝氏度，要知道在筆記本平臺中，溫度每提升一度對整機的散熱都是一項莫大的挑戰(zhàn)。

在溫度測試中，低壓內(nèi)存以絕對的優(yōu)勢領先，這樣的表現(xiàn)給筆記本帶來了更加清涼的使用感受，散熱系統(tǒng)的設計也容易了一些。另外，這臺測試用筆記本為酷睿二代處理器，也就是說，在老酷睿平臺下，低壓內(nèi)存一樣能夠完美兼容運行。

●該選擇什么樣的內(nèi)存條升級

通過前文的測試我們可以看到，標準電壓處理器理論上對標壓和低壓內(nèi)存都可以完美兼容，但考慮到不太大的性能差異以及低壓內(nèi)存良好的溫度表現(xiàn)，我們建議優(yōu)先選擇低壓內(nèi)存進行升級。容量方便建議4GB起步，頻率1600MHz最佳，畢竟當下的應用程序和操作系統(tǒng)對內(nèi)存容量的要求越來越高，雖然頻率的提升對性能的影響不大，但是價格相差不大的情況下買高頻率的顯然更劃算。不過現(xiàn)在的內(nèi)存行情有點偏高，我2012年買的一條4GB海盜船才花119元。

對于采用低壓處理器的筆記本來說，低壓內(nèi)存是唯一的選擇，最穩(wěn)妥的方法是根據(jù)Intel官網(wǎng)給出的支持列表進行選購，但是在我們的測試中，有幾款低壓內(nèi)存條沒有在這一列表之中，所以理論上看，低壓處理器是可以兼容大部分低壓內(nèi)存條的，消費者也不必機械地只買支持列表中的產(chǎn)品。

全文總結：

早在英特爾第二代酷睿處理器SNB開始，處理器整合北橋功能，集成內(nèi)存控制器，自此內(nèi)存支持情況完全由處理器決定。但考慮到整機部分，受到廠商成本因素、庫存情況影響，如果標準電壓內(nèi)存、低電壓內(nèi)存都可以支持，那么配備哪種內(nèi)存就都是有可能的，就看廠商愿意先消化掉哪部分庫存，比如神舟K710C就采用了2GB低壓內(nèi)存。

通過本次測試，我們認為，低壓處理器理論上只支持低壓內(nèi)存產(chǎn)品，而標壓內(nèi)存則可以兼容標壓和低壓兩種電壓規(guī)格的產(chǎn)品。在內(nèi)存升級方面，由于兩種規(guī)格的內(nèi)存性能差異不大，但低壓內(nèi)存的溫度表現(xiàn)實在優(yōu)秀，所以我們建議用戶優(yōu)先選擇低壓內(nèi)存進行升級。

如何區(qū)分筆記本電腦內(nèi)存條是低壓還是標壓

工具/材料

CPU-Z軟件

一般情況下，如果要檢測內(nèi)存條電壓版本，要使用CPU-Z版本，所以，我們要搜狗搜索“CPU-Z”，并下載該軟件。

CPU-Z軟件下載完畢之后，雙擊進入安裝程序界面，完成該軟件的安裝，并運行該軟件檢測電腦硬件。

打開CPU-Z軟件主界面之后，點擊頁面中的“SPD”選項，即可查看到內(nèi)存條的類型、頻率和電壓。

一般來說，針對DDR3內(nèi)存條類型，是區(qū)分標壓和低壓版本的，標壓版本標記為DDR3，低壓版本標記為DDR3L。如果是標壓版本，可以看到內(nèi)存電壓為1.5V。

如果是低壓版本的話，可以看到內(nèi)存電壓為1.35V。

現(xiàn)在大部分電腦都配備了DDR4版本的內(nèi)存條，針對DDR4版本的內(nèi)存條，電壓都統(tǒng)一為1.2V。

低電壓版內(nèi)存和標壓有什么區(qū)別嗎？

低電壓內(nèi)存和標準電壓的內(nèi)存，性能上沒有區(qū)別，只有耗電上有區(qū)別。

因為標稱同樣頻率的內(nèi)存，比如同樣是DDR31333，無論是低電壓還是標準電腦，都是工作在標準的1333的頻率下，性能上沒有任何區(qū)別。低壓和高壓的不同，在于標準電壓或高電壓的內(nèi)存，可以超過標稱的頻率，工作在更高的頻率下，這就是人稱的“超頻”。在不超頻的前提下，低電壓和內(nèi)存和標準電壓的內(nèi)存，在性能方面是一致的。

低電壓內(nèi)存，一般用在移動設備上，比如筆記本。因為更低的能耗，對于移動設備更有意義?？梢杂行У拇龠M待機時間的提高。這也是低電壓內(nèi)存的所在。

低電壓內(nèi)存與標壓有什么區(qū)別

低電壓內(nèi)存與標壓內(nèi)存的區(qū)別如下：

一、指代不同

1、低壓版本：采用優(yōu)質(zhì)元器件和先進技術，具有體積小，容量大，速度快，功耗低，散熱好等特點。

2、標壓版本：在總線模式下進行讀寫的組件。

二、特點不同

1、低壓版本：當大容量存儲器保證相同容量時，它將產(chǎn)生較少的熱量，這對于移動PC的穩(wěn)定性也非常重要。

2、標壓版本：使用支持2.5V的SSTL2標準，而不是SDRAM使用的3.3VLVTTL標準。

三、技術不同

1、低壓版本：使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨立執(zhí)行，而且與CPU完全相同。

2、標壓版本：延時鎖定回路提供一個數(shù)據(jù)濾波信號技術。當數(shù)據(jù)有效時，存儲控制器可以使用此數(shù)據(jù)過濾信號來精確定位數(shù)據(jù)，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲模塊數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)。