專注搜索競價代運營

成長之選 ,效果之道!

免費咨詢熱線:17636682598

筆記本電腦ddr3內(nèi)存,筆記本ddr3內(nèi)存條最大容量

2016年聯(lián)想筆記本電腦內(nèi)存是ddr3的還是ddr4的?您好,您問的是2016年聯(lián)想筆記本電腦內(nèi)存是ddr3的還是ddr4的?答案是:2016年聯(lián)想筆記本電腦內(nèi)存是ddr3的。隨著技術(shù)的發(fā)展,聯(lián)想筆

2016年聯(lián)想筆記本電腦內(nèi)存是ddr3的還是ddr4的?

您好,您問的是2016年聯(lián)想筆記本電腦內(nèi)存是ddr3的還是ddr4的?

答案是:2016年聯(lián)想筆記本電腦內(nèi)存是ddr3的。

隨著技術(shù)的發(fā)展,聯(lián)想筆記本電腦內(nèi)存也在不斷更新,2016年的聯(lián)想筆記本電腦內(nèi)存主要是ddr3的,但是也有部分機型支持ddr4的內(nèi)存。

DDR3內(nèi)存是一種高速內(nèi)存,它的主要特點是數(shù)據(jù)傳輸速度快,能夠提高系統(tǒng)的運行速度,提高系統(tǒng)的性能。DDR4內(nèi)存是一種新型的內(nèi)存,它的傳輸速度比DDR3內(nèi)存快,能夠更好的提高系統(tǒng)的性能。

聯(lián)想筆記本G460能支持多大內(nèi)存,頻率最大支持多少?

聯(lián)想G460使用的是IntelHM55芯片組所以可以使用DDR3-1333/1600及以上頻率DDR3內(nèi)存,但因為CPU頻率的原因,只能工作在1066MHz的頻率上。主板最大支持的內(nèi)存為8GB。

聯(lián)想筆記本升級內(nèi)存時建議您盡量選擇與筆記本電腦原配內(nèi)存頻率規(guī)格型號相同的內(nèi)存,由于硬件設(shè)備間都會存在兼容性的問題,建議聯(lián)系當(dāng)?shù)氐穆?lián)想服務(wù)站進行配件升級;如需自行購買,最好攜帶機器測試可以使用后再購買,避免不兼容造成浪費。

戴爾哪款筆記本用三星內(nèi)存條ddr3l

戴爾SystemInspironN4110筆記本電腦。

這款電腦配置搭載2x4G-DDR3組成雙通道,支持單根4Gddr31600,最大支持8G內(nèi)存。

電腦內(nèi)存條的主要作用是,臨時存放CPU的運算數(shù)據(jù),以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。電腦增加內(nèi)存條后,既可以增大系統(tǒng)運行時可用的內(nèi)存容量,也可以提高電腦的運行速度,同時也可以保證電腦能夠同時運行更多的程序。

可以裝ddr3內(nèi)存的筆記本

酷睿2是可以裝ddr3內(nèi)存的筆記本。根據(jù)查詢相關(guān)公開信息,酷睿2安裝上ddr3內(nèi)存可以得到更多優(yōu)點:

1、同酷睿2處理器更加匹配,隨著酷睿2處理器前端總線逐漸提升,對于內(nèi)存帶寬要求更為苛刻,而DDR3在技術(shù)和工藝上的改進完美的實現(xiàn)了內(nèi)存同CPU的完全對接,消除了數(shù)據(jù)傳輸中的瓶頸。

2、DDR3內(nèi)存有助于提升筆記本續(xù)航時間,更高的頻率并未帶來更高的耗電,DDR3內(nèi)存的出現(xiàn)在頻率和好點之間找到了新的平衡,DDR3內(nèi)存可以幫助筆記本獲得更高性能的同時保持更長的續(xù)航時間。

3、DDR3內(nèi)存更小的發(fā)熱也能為消費者贏得剛好的使用體驗。

筆記本電腦內(nèi)存條低壓是多少伏的?是ddr3

低壓版內(nèi)存條,叫做DDR3L,電壓是1.35V。DDR3是1.5V。

DDR3和DDR3L相比,后面多了一個L,其實這個L就代表著低壓內(nèi)存。低壓內(nèi)存這個概念主要是針對筆記本而言的,在Haswell之前的上一代lvyBridge平臺上,英特爾就加入了對DDR3L內(nèi)存的支持,包括聯(lián)想Yoga在內(nèi)的很多l(xiāng)vyBridge平臺超極本就已經(jīng)武裝上這種低壓內(nèi)存了。

lvyBridge時代的DDR3L內(nèi)存還屬于“稀缺資源”,在2013年初市面上能買到的DDR3L內(nèi)存也就僅有鎂光(Crucial英睿達(dá))和三星黑武士等幾款而已。但從Haswell開始,“DDR3L”這種低壓版內(nèi)存走進了大眾的視野。

擴展資料

筆記本用戶只能選低壓內(nèi)存

更持久的使用時間一直是筆記本不斷追求的核心賣點,CPU通過不斷降低的TDP來延長續(xù)航時間,而內(nèi)存條則借助不斷降低的電壓來減小電池的消耗。

從最早的SD內(nèi)存(3.3V)、DDR1(2.6V)、DDR2(1.8V)、DDR3(1.5V)再到DDR3L(1.35V/1.28V)以及DDR3U(1.25V),內(nèi)存的“升級史”其實也是電壓的“降級史”,其目的就是減小耗電量和降低發(fā)熱量(性能不受影響)。

所以筆記本用戶在升級本條時要看清說明,有的筆記本只支持低壓內(nèi)存,換句話來說低壓內(nèi)存也就是為筆記本等這樣對于體積和續(xù)航有一定要求的設(shè)備設(shè)計的,所以購買內(nèi)存時千萬要注意,不要不小心購買了PC的標(biāo)壓內(nèi)存,回頭筆記本卻不能用,造成了經(jīng)濟上的損失。

本文分類:科技

瀏覽次數(shù):1339次瀏覽

發(fā)布日期:2023-04-25 13:27:13

本文鏈接:http://godcuan.com/net/64f4ad988550c33bd880c483fbe571b0.html