筆記本有6g內(nèi)存條嗎,筆記本6g內(nèi)存夠嗎

筆記本和臺式機(jī)能不能裝6G內(nèi)存？

筆記本和臺式機(jī)能裝6G內(nèi)存。

不過，內(nèi)存只有1G、2G、4G、8G等，沒有直接的6G內(nèi)存，如果你需要安裝6G內(nèi)存，需要幾根內(nèi)存條來配合安裝。

說明：

1、臺式機(jī)一般有4個(gè)內(nèi)存插槽，可以插4根內(nèi)存；

2、筆記本一般有2個(gè)內(nèi)存插槽，可能插2根內(nèi)存。

注意：

1、安裝內(nèi)存，建議用同一品牌，同一型號的不同大小的內(nèi)存；

2、如果不能用同一品牌的內(nèi)存，內(nèi)存型號最好要一樣（如DDR2代800的內(nèi)存，DDR3代1600的內(nèi)存），因如果型號不一樣，內(nèi)存以主頻較小的內(nèi)存為標(biāo)準(zhǔn)（如一根DDR3代1300的內(nèi)存與一根DDR3代1600的內(nèi)存一起使用，主頻只有1300）。

筆記本電腦內(nèi)存可以是6G么

可以呀一般的筆記本都有兩個(gè)插口，緣來是2G再加一條4G的，但要注意最好是一種芯片顆粒的，這樣穩(wěn)定不容易出問題。

電腦本身是2G內(nèi)存,加一個(gè)4G內(nèi)存條,是6G內(nèi)存嗎

沒錯(cuò)，本身是2G內(nèi)存，多加4G內(nèi)存后，就是6G內(nèi)存。

但必要前提是內(nèi)存條與主板型號相同，其次，還需要空余的內(nèi)存插槽。

以及，系統(tǒng)如果安裝的是XP32，則內(nèi)存安裝的6G就不會完全顯示，因?yàn)檐浖?、硬件廠家的計(jì)算方式不同，顯示的結(jié)果也會有差異，主板是集成顯卡的情況下，還要扣去共享的部分。

常規(guī)來說，與DDR3代的內(nèi)存條匹配的主機(jī)基本是沒問題的。

擴(kuò)展資料：

內(nèi)存的分類。

內(nèi)存分為DRAM和ROM兩種，前者又叫動態(tài)隨機(jī)存儲器，它的一個(gè)主要特征是斷電后數(shù)據(jù)會丟失，我們平時(shí)說的內(nèi)存就是指這一種；后者又叫只讀存儲器，我們平時(shí)開機(jī)首先啟動的是存于主板上ROM中的BIOS程序，然后再由它去調(diào)用硬盤中的Windows，ROM的一個(gè)主要特征是斷電后數(shù)據(jù)不會丟失。

電腦有6G內(nèi)存條嗎？

單條內(nèi)存肯定沒有這個(gè)規(guī)格。

如果是兩條內(nèi)存的組合，那么一條2G，一條4G，就可以組合成6G。

筆記本內(nèi)存6G和8G有什么差別

筆記本內(nèi)存6G和8G區(qū)別：

1、性能：8g內(nèi)存性能運(yùn)行更快。游戲和軟件的使用將更加順暢。

2、數(shù)據(jù)傳輸速度：8GB系統(tǒng)比6GB系統(tǒng)快，8g在數(shù)據(jù)傳輸上可以更快地存儲和傳輸數(shù)據(jù)。

3、內(nèi)存使用率：當(dāng)軟件頻繁開啟時(shí)，6G內(nèi)存的使用率會增加，導(dǎo)致計(jì)算機(jī)運(yùn)行緩慢。

擴(kuò)展資料：

電腦內(nèi)存分類：

1、SRAM：

SRAM（StaticRAM）意為靜態(tài)隨機(jī)存儲器。

SRAM數(shù)據(jù)不需要通過不斷地刷新來保存，因此速度比DRAM（動態(tài)隨機(jī)存儲器）快得多。

但是SRAM具有的缺點(diǎn)是：同容量相比DRAM需要非常多的晶體管，發(fā)熱量也非常大。因此SRAM難以成為大容量的主存儲器，通常只用在CPU、GPU中作為緩存，容量也只有幾十K至幾十M。

2、RDRAM：

RDRAM是由RAMBUS公司推出的內(nèi)存。

RDRAM內(nèi)存條為16bit，但是相比同期的SDRAM具有更高的運(yùn)行頻率，性能非常強(qiáng)。

然而它是一個(gè)非開放的技術(shù)，內(nèi)存廠商需要向RAMBUS公司支付授權(quán)費(fèi)。并且RAMBUS內(nèi)存的另一大問題是不允許空通道的存在，必須成對使用，空閑的插槽必須使用終結(jié)器。

3、XDRRAM：

XDR內(nèi)存是RDRAM的升級版。依舊由RAMBUS公司推出。XDR就是“eXtremeDataRate”的縮寫。

XDR依舊存在RDRAM不能大面普及的那些不足之處。因此，XDR內(nèi)存的應(yīng)用依舊非常有限。比較常見的只有索尼的PS3游戲機(jī)。

4、Fe－RAM：

鐵電存儲器是一種在斷電時(shí)不會丟失內(nèi)容的非易失存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)。

由于數(shù)據(jù)是通過鐵元素的磁性進(jìn)行存儲，因此，鐵電存儲器無需不斷刷新數(shù)據(jù)。其運(yùn)行速度將會非常樂觀。而且它相比SRAM需要更少的晶體管。它被業(yè)界認(rèn)為是SDRAM的最有可能的替代者。

現(xiàn)在市場上電腦內(nèi)存有沒有3G，6G，12G那種

電腦底層是是2進(jìn)制

所以單根內(nèi)存的容量都是2的N次方為單位的

比如2的0次方為1

，然后是2,4,8,16。單位現(xiàn)在一般是G,以前你說多少M(fèi)也可以

3G，6G，12G。需要幾根單根的內(nèi)存組成