筆記本內(nèi)存條電壓1.2v,筆記本內(nèi)存條電壓不一樣可以一起用嗎

如何區(qū)分筆記本電腦內(nèi)存條是低壓還是標壓

工具/材料

CPU-Z軟件

一般情況下，如果要檢測內(nèi)存條電壓版本，要使用CPU-Z版本，所以，我們要搜狗搜索“CPU-Z”，并下載該軟件。

CPU-Z軟件下載完畢之后，雙擊進入安裝程序界面，完成該軟件的安裝，并運行該軟件檢測電腦硬件。

打開CPU-Z軟件主界面之后，點擊頁面中的“SPD”選項，即可查看到內(nèi)存條的類型、頻率和電壓。

一般來說，針對DDR3內(nèi)存條類型，是區(qū)分標壓和低壓版本的，標壓版本標記為DDR3，低壓版本標記為DDR3L。如果是標壓版本，可以看到內(nèi)存電壓為1.5V。

如果是低壓版本的話，可以看到內(nèi)存電壓為1.35V。

現(xiàn)在大部分電腦都配備了DDR4版本的內(nèi)存條，針對DDR4版本的內(nèi)存條，電壓都統(tǒng)一為1.2V。

聯(lián)想筆記本iminiS1內(nèi)存電壓多少v？

這個是ddr4格式內(nèi)存條！工作電壓是1.2v吧！

一般內(nèi)存還有下面三種，都是比較早的了！

1、SDRAM內(nèi)存一般工作電壓都在3.3伏左右，上下浮動額度不超過0.3伏。

2、DDR內(nèi)存一般工作電壓都在2.5伏左右，上下浮動額度不超過0.2伏。

3、DDR2內(nèi)存的工作電壓一般在1.8V左右。DDR3內(nèi)存標準電壓是1.5V。

電腦dramvoltage1.2V什么意思？

就是表示你此時的內(nèi)存條工作電壓是1.2V，DRAMvoltage就是內(nèi)存條電壓

是不是DDR4的內(nèi)存條都是低壓1.2V？

不一定，DDR4內(nèi)存頻率最高有可能高達4266MHz，電壓則有可能降至1.1V乃至1.05V。

DDR4內(nèi)存的標準規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDIMM類型，容量為2GB，運行電壓只有1.2V，工作頻率為2133MHz，而且憑借新的電路架構(gòu)最高可以達到3200MHz。

相比之下，DDR3內(nèi)存的標準頻率最高僅為1600MHz，運行電壓一般為1.5V，節(jié)能版也有1.35V。僅此一點，DDR4內(nèi)存就可以節(jié)能最多40%。

DDR4內(nèi)存使用了曾出現(xiàn)在高端顯存顆粒上的“PseudoOpenDrain”(虛擬開漏極)技術(shù)，在讀取、寫入數(shù)據(jù)的時候漏電率只有DDR3內(nèi)存的一半。

擴展資料：

DDR3和DDR4區(qū)別：

DDR3內(nèi)存的起始頻率僅有800MHz，最高頻率可達2133MHz。而DDR4內(nèi)存的起始頻率就有2133MHz，最高頻率可達3000MHz。

更高頻率的DDR4內(nèi)存在各個方面的表現(xiàn)和DDR3內(nèi)存相比有著顯著的提升，DDR4內(nèi)存的每個針腳都可以提供2Gbps的帶寬，那么DDR4-3200就是51.2GB/s，這比DDR3-1866的帶寬提升了70%。

通常情況下，DDR3的內(nèi)存的工作電壓為1.5V，耗電較多，而且內(nèi)存條容易發(fā)熱降頻，影響性能。而DDR4內(nèi)存的工作電壓多為1.2V甚至更低，功耗的下降帶來的是更少的用電量和更小的發(fā)熱，提升了內(nèi)存條的穩(wěn)定性，基本不會出現(xiàn)發(fā)熱引起的降頻現(xiàn)象。

參考資料來源：百度百科-DDR4