筆記本電腦內(nèi)存條ddr3,筆記本電腦內(nèi)存條ddr3和ddr4有什么區(qū)別

筆記本內(nèi)存的DDR3L和DDR3有什么區(qū)別？分別對(duì)性能有什么影響？

一、電壓的不同

1、DDR3L是低電壓版內(nèi)存，全稱“DDR3LowVoltage”(低電壓版DDR3)，運(yùn)行電壓1.35V

2、DDR3是常壓內(nèi)存，運(yùn)行電壓1.5V。

二、兼容性不同

雖然DDR3與DDR3L在大多數(shù)情況下兼容，但在Haswell平臺(tái)下卻不完全兼容IntelHaswl處理器，IntelHaswl為了更好地降低功耗，其支持的內(nèi)存類型只有DDR3L，并不能兼容DDR3。

三、功耗不同

DDR3L內(nèi)存采用1.35V工作電壓，而DDR3內(nèi)存則是1.5V工作電壓，DDR3L低壓內(nèi)存大約比DDR3標(biāo)壓內(nèi)存節(jié)能2W左右。

DDR3標(biāo)壓內(nèi)存相比DDR3L低壓內(nèi)存，性能強(qiáng)了大約10-15%左右。

擴(kuò)展資料：

DDR3系列內(nèi)存的優(yōu)點(diǎn)：

1、功耗和發(fā)熱量較小。

2、工作頻率更高。

3、降低顯卡整體成本。

4、通用性好。

DR3顯存在新出的大多數(shù)中高端顯卡上得到了廣泛的應(yīng)用。許多低端的顯卡也有采用DDR3顯存的。

筆記本內(nèi)存條ddr3l能不能和ddr3混用？

DDR3的內(nèi)存支持標(biāo)準(zhǔn)，插DDR3L的內(nèi)存是可以的。但要注意散熱。

1、DDR3的標(biāo)準(zhǔn)電壓是1.5v，低電壓版DDR3L是1.35v。

2、低電壓版的內(nèi)存可以工作在標(biāo)準(zhǔn)電壓下，但標(biāo)準(zhǔn)電壓的內(nèi)存不能工作在1.35v下。

3、低電壓版的內(nèi)存在標(biāo)準(zhǔn)電壓下工作會(huì)增大發(fā)熱量，注意散熱要搞好，不然有可能會(huì)不穩(wěn)定。

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性能優(yōu)勢

(1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓(xùn)，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。

(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度彌補(bǔ)了延遲時(shí)間較長的缺點(diǎn)，同時(shí)還可作為顯卡的賣點(diǎn)之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現(xiàn)。

(3)降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規(guī)格多為16MX32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存顆粒規(guī)格多為32MX32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構(gòu)成128MB顯存。如此一來，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數(shù)減少后，顯存功耗也能進(jìn)一步降低。

(4)通用性好：相對(duì)于DDR變更到DDR2，DDR3對(duì)DDR2的兼容性更好。由于針腳、封裝等關(guān)鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設(shè)計(jì)的顯卡稍加修改便能采用DDR3顯存，這對(duì)廠商降低成本大有好處。

DDR3顯存在新出的大多數(shù)中高端顯卡上得到了廣泛的應(yīng)用。許多低端的顯卡也有采用DDR3顯存的。

DDR3內(nèi)存條和DDR4有什么不一樣，還有DDR3L什么意思

一、DDR3內(nèi)存條和DDR4內(nèi)存條不一樣的方面：

1、規(guī)格不同：

DDR3內(nèi)存條：起始頻率有800MHz，最高頻率可達(dá)2133MHz。

DDR4內(nèi)存條：起始頻率有2133MHz，最高頻率可達(dá)3000MHz。

3、內(nèi)存容量不同：

DDR3內(nèi)存條：最大單條可達(dá)64GB的容量。

DDR4內(nèi)存條：最大單條容量為128GB。

4、功耗不同：

DDR3內(nèi)存條：工作電壓為1.5V，耗電較多，而且內(nèi)存條容易發(fā)熱降頻，影響性能。

DDR4內(nèi)存條：工作電壓多為1.2V甚至更低，更少的用電量和更小的發(fā)熱，提升了內(nèi)存條的穩(wěn)定性。

二、DDR3L的意思：

這里的DDR3后面的字母“L”，代表的是LowVoltage的縮寫。DDR3L全稱是DDR3LowVoltage，就是DDR3低電壓版，其工作電壓相比普通標(biāo)準(zhǔn)版的DDR3內(nèi)存更低一些，功耗更低，但性能也略微更低一些。

DDR3L低電壓內(nèi)存條一般主要用在筆記本、服務(wù)器等設(shè)備上，普通臺(tái)式電腦很少使用這種低電壓內(nèi)存條。

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選擇DDR3和DDR4內(nèi)存條需要注意的事項(xiàng)：

1、選擇內(nèi)存條前，首先查看電腦主板是否支持DDR3或DDR4內(nèi)存條，有沒有相應(yīng)的DDR3和DDR4內(nèi)存條插槽。

2、內(nèi)存容量和頻率的選擇，目前DDR4內(nèi)存的容量有4G、8G的，DDR4內(nèi)存的頻率有2133MHZ、2400MHZ、2666MHZ、2800MHZ等。根據(jù)電腦所支持的配置進(jìn)行選擇。

3、DDR3和DDR4互不兼容，無法一同使用。

內(nèi)存卡DDR1，DDR2，DDR3，DDR4都有什么區(qū)別，什么意思？

內(nèi)存卡DDR1，DDR2，DDR3，DDR4區(qū)別為：功能不同、傳輸速率不同、電壓頻率不同。

一、功能不同

1、DDR1：DDR1在單一周期內(nèi)可讀取或?qū)懭?次。

2、DDR2：DDR2新增了BankGroup數(shù)據(jù)組的設(shè)計(jì)，各個(gè)BankGroup具備獨(dú)立啟動(dòng)操作讀、寫等動(dòng)作特性。

3、DDR3：DDR3新增ASR（AutomaticSelf－Refresh）、SRT（Self－RefreshTemperature）等兩種功能，讓內(nèi)存在休眠時(shí)也能夠隨著溫度變化去控制對(duì)內(nèi)存顆粒的充電頻率，以確保系統(tǒng)數(shù)據(jù)的完整性。

4、DDR4：DDR4增加了DBI（DataBusInversion）、CRC（CyclicRedundancyCheck）、CAparity等功能，讓DDR4內(nèi)存在更快速與更省電的同時(shí)亦能夠增強(qiáng)信號(hào)的完整性、改善數(shù)據(jù)傳輸及儲(chǔ)存的可靠性。

二、傳輸速率不同

1、DDR1：DDR1的傳輸速率介于266～400MT／s之間。

2、DDR2：DDR2的傳輸速率介于533～800MT／s之間。

3、DDR3：DDR3的傳輸速率介于1066～1600MT／s之間。

4、DDR4：DDR4的傳輸速率介于2133～3200MT／s之間。

三、電壓頻率不同

1、DDR1：DDR1使用的電壓是2．5V，頻率有200、266、333、400四種。

2、DDR2：DDR2使用的電壓是1．8V，頻率有533，667，800三種。

3、DDR3：DDR3使用的電壓是1．5V。頻率有1066、1333、1600、2133四種。

4、DDR4：DDR4使用的電壓是1．2V。頻率有3000、2666、3200、2400、2933五種。

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內(nèi)存條區(qū)分方法：

1、DDR1，也就是一代內(nèi)存條。這種內(nèi)存條的內(nèi)存顆粒足足有二代三代的兩倍，一看就知道是落后工藝，舊時(shí)代的產(chǎn)品。配有一代內(nèi)存的電腦，cpu是單核的，配著IDE接口的硬盤，看視頻無法流暢觀看。

頻率為400MHZ,容量只有512M，也就是0.5G。頻率才是關(guān)鍵。一代內(nèi)存條的頻率有333MHZ和400MHZ，所以標(biāo)簽上的400就足以證明它是一代內(nèi)存條。容量不是關(guān)鍵，一代內(nèi)存條有1G容量的，三代內(nèi)存條也有1G容量的。

2、二代內(nèi)存條有533,667,800三種頻率。它們都屬于二代內(nèi)存條，外觀，接口都是一樣的，相互兼容，可以共用。只不過高頻率的內(nèi)存條要遷就低頻率的內(nèi)存條。假如一臺(tái)電腦上同時(shí)插有800MHZ和533MHZ的兩條內(nèi)存條，那電腦就只能工作在533MHZ頻率下，性能上會(huì)有點(diǎn)折損。

3、三代內(nèi)存條的頻率一般有1066，1333,1600,2133,用得比較多的是1333，1600。是市場比較流行的。

4、上面的較長內(nèi)存條是臺(tái)式機(jī)電腦用的。筆記本內(nèi)存條為了適應(yīng)筆記本的大小，做成短的。主要辨別方法也是看標(biāo)簽。

5、筆記本的內(nèi)存條相信是比較容易區(qū)分一二三代的。只需看PC這個(gè)字樣就OK了。PC代表一代，PC2代表二代，PC3代表三代。ddr400后面的頻率是200MHZ，因?yàn)镈DR是雙倍速率的，實(shí)際速率還是400MHZ.

筆記本電腦內(nèi)存條低壓是多少伏的?是ddr3

低壓版內(nèi)存條，叫做DDR3L，電壓是1.35V。DDR3是1.5V。

DDR3和DDR3L相比，后面多了一個(gè)L，其實(shí)這個(gè)L就代表著低壓內(nèi)存。低壓內(nèi)存這個(gè)概念主要是針對(duì)筆記本而言的，在Haswell之前的上一代lvyBridge平臺(tái)上，英特爾就加入了對(duì)DDR3L內(nèi)存的支持，包括聯(lián)想Yoga在內(nèi)的很多l(xiāng)vyBridge平臺(tái)超極本就已經(jīng)武裝上這種低壓內(nèi)存了。

lvyBridge時(shí)代的DDR3L內(nèi)存還屬于“稀缺資源”，在2013年初市面上能買到的DDR3L內(nèi)存也就僅有鎂光(Crucial英睿達(dá))和三星黑武士等幾款而已。但從Haswell開始，“DDR3L”這種低壓版內(nèi)存走進(jìn)了大眾的視野。

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筆記本用戶只能選低壓內(nèi)存

更持久的使用時(shí)間一直是筆記本不斷追求的核心賣點(diǎn)，CPU通過不斷降低的TDP來延長續(xù)航時(shí)間，而內(nèi)存條則借助不斷降低的電壓來減小電池的消耗。

從最早的SD內(nèi)存(3.3V)、DDR1(2.6V)、DDR2(1.8V)、DDR3(1.5V)再到DDR3L(1.35V/1.28V)以及DDR3U(1.25V)，內(nèi)存的“升級(jí)史”其實(shí)也是電壓的“降級(jí)史”，其目的就是減小耗電量和降低發(fā)熱量（性能不受影響）。

所以筆記本用戶在升級(jí)本條時(shí)要看清說明，有的筆記本只支持低壓內(nèi)存，換句話來說低壓內(nèi)存也就是為筆記本等這樣對(duì)于體積和續(xù)航有一定要求的設(shè)備設(shè)計(jì)的，所以購買內(nèi)存時(shí)千萬要注意，不要不小心購買了PC的標(biāo)壓內(nèi)存，回頭筆記本卻不能用，造成了經(jīng)濟(jì)上的損失。