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筆記本內(nèi)存低電壓和高電壓區(qū)別,筆記本內(nèi)存條低電壓和標(biāo)準(zhǔn)電壓哪個好

低電壓版內(nèi)存和標(biāo)壓有什么區(qū)別嗎?低電壓內(nèi)存和標(biāo)準(zhǔn)電壓的內(nèi)存,性能上沒有區(qū)別,只有耗電上有區(qū)別。因為標(biāo)稱同樣頻率的內(nèi)存,比如同樣是DDR31333,無論是低電壓還是標(biāo)準(zhǔn)電腦,都是工

低電壓版內(nèi)存和標(biāo)壓有什么區(qū)別嗎?

低電壓內(nèi)存和標(biāo)準(zhǔn)電壓的內(nèi)存,性能上沒有區(qū)別,只有耗電上有區(qū)別。

因為標(biāo)稱同樣頻率的內(nèi)存,比如同樣是DDR31333,無論是低電壓還是標(biāo)準(zhǔn)電腦,都是工作在標(biāo)準(zhǔn)的1333的頻率下,性能上沒有任何區(qū)別。低壓和高壓的不同,在于標(biāo)準(zhǔn)電壓或高電壓的內(nèi)存,可以超過標(biāo)稱的頻率,工作在更高的頻率下,這就是人稱的“超頻”。在不超頻的前提下,低電壓和內(nèi)存和標(biāo)準(zhǔn)電壓的內(nèi)存,在性能方面是一致的。

低電壓內(nèi)存,一般用在移動設(shè)備上,比如筆記本。因為更低的能耗,對于移動設(shè)備更有意義??梢杂行У拇龠M待機時間的提高。這也是低電壓內(nèi)存的所在。

電腦內(nèi)存條低電壓和高電壓的區(qū)別'

沒有高壓內(nèi)存的,只有低電壓和標(biāo)準(zhǔn)電壓內(nèi)存條,目前DDR4是沒有標(biāo)壓和低壓之分,電壓1.2V,你說的是DDR3L和DDR3內(nèi)存條,最大區(qū)別就是DDR3L低電壓1.3V,標(biāo)準(zhǔn)DDR3電壓1.5V,因為低電壓是為了節(jié)能的,其它和DDR3是一樣的參數(shù)規(guī)格,沒有不一樣,就是電壓不同

內(nèi)存條低壓和高壓有什么區(qū)別?

工作電壓不同。低壓版工作電壓1.35V,電壓低功耗就低,主要用在筆記本電腦上,獲得更長的續(xù)航時間。普壓版電壓1.5V,功耗更高,臺式機和本本都有使用。

內(nèi)存條是CPU可通過總線尋址,并進行讀寫操作的電腦部件。內(nèi)存條在個人電腦歷史上曾經(jīng)是主內(nèi)存的擴展。隨著電腦軟、硬件技術(shù)不斷更新的要求,內(nèi)存條已成為讀寫內(nèi)存的整體。我們通常所說電腦內(nèi)存(RAM)的大小,即是指內(nèi)存條的總?cè)萘俊?/p>

內(nèi)存條是電腦必不可少的組成部分,CPU可通過數(shù)據(jù)總線對內(nèi)存尋址。歷史上的電腦主板上有主內(nèi)存,內(nèi)存條是主內(nèi)存的擴展。以后的電腦主板上沒有主內(nèi)存,CPU完全依賴內(nèi)存條。所有外存上的內(nèi)容必須通過內(nèi)存才能發(fā)揮作用。

怎么辨別筆記本內(nèi)存高電壓低電壓

看筆記本的硬件參數(shù),如果內(nèi)存后面有L字樣的,如DDR3L,就是低電壓,內(nèi)存是用1.35V的電壓,如果沒有,就是高電壓,內(nèi)存是用1.5V電壓的。

大神來指導(dǎo),內(nèi)存條低壓和高壓有什么區(qū)別

實際使用中,二種內(nèi)存條在性能上沒有什么差別,區(qū)別就是工作電壓不同。

1、低壓內(nèi)存如DDR3L規(guī)格,工作電壓1.35V;標(biāo)壓條子DDR3,為1.5V;

2、兩種內(nèi)存條都有不同頻率的產(chǎn)品,且接口也是統(tǒng)一尺寸、規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)。支持1.35V內(nèi)存的主板,也兼容1.5V的內(nèi)存條,即二者可同時使用,由內(nèi)存控制器識別分配其工作電壓;

3、網(wǎng)上有三種論調(diào):一是低壓內(nèi)存條性能有犧牲;二是兩者性能相當(dāng);三是低壓內(nèi)存條性能更好。通過AIDA64專業(yè)工具實測,讓結(jié)果來說明問題:

4、從圖中兩種DDR3的讀取速率得分比較,DDR3L1333條子為19956MB/S,DDR31333條子為19316MB/S,差距640MB/S。性能相差0.03%,可忽略不計;

5、分析,分高者有受CPU的主頻3.5GHz影響因素;分低者CPU主頻3.4GHz,對內(nèi)存讀取速度也會有影響。總之,二者打個平手,但低壓條子節(jié)能、發(fā)熱情況,要比高壓條子優(yōu)秀,是無疑的了。

低電壓內(nèi)存與標(biāo)壓有什么區(qū)別

低電壓內(nèi)存與標(biāo)壓內(nèi)存的區(qū)別如下:

一、指代不同

1、低壓版本:它具有體積小、容量大、速度快、功耗低、散熱性能好等特點,采用優(yōu)質(zhì)元件和先進技術(shù)。

2、標(biāo)壓版本:在總線模式下進行讀寫的組件。

二、特點不同

1、低壓版本:在相同容量的情況下,大內(nèi)存產(chǎn)生的熱量更少,這對移動pc的穩(wěn)定性也很重要。

2、標(biāo)壓版本:使用支持2.5V的SSTL2標(biāo)準(zhǔn),而不是SDRAM使用的3.3VLVTTL標(biāo)準(zhǔn)。

三、技術(shù)不同

1、低壓版本:使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨立執(zhí)行,而且與CPU完全相同。

2、標(biāo)壓版本:延遲鎖定環(huán)路提供了一種數(shù)據(jù)濾波信號技術(shù)。當(dāng)數(shù)據(jù)有效時,存儲控制器可以使用該數(shù)據(jù)濾波信號精確定位數(shù)據(jù),每16次輸出一次,并重新同步來自不同存儲模塊的數(shù)據(jù)。

本文分類:科技

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發(fā)布日期:2023-05-03 05:03:20

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