ddr2臺(tái)式機(jī)內(nèi)存條,臺(tái)式機(jī)內(nèi)存條ddr2和ddr3的區(qū)別

內(nèi)存卡DDR1，DDR2，DDR3，DDR4都有什么區(qū)別，什么意思？

內(nèi)存卡DDR1，DDR2，DDR3，DDR4區(qū)別為：功能不同、傳輸速率不同、電壓頻率不同。

一、功能不同

1、DDR1：DDR1在單一周期內(nèi)可讀取或?qū)懭?次。

2、DDR2：DDR2新增了BankGroup數(shù)據(jù)組的設(shè)計(jì)，各個(gè)BankGroup具備獨(dú)立啟動(dòng)操作讀、寫等動(dòng)作特性。

3、DDR3：DDR3新增ASR（AutomaticSelf－Refresh）、SRT（Self－RefreshTemperature）等兩種功能，讓內(nèi)存在休眠時(shí)也能夠隨著溫度變化去控制對(duì)內(nèi)存顆粒的充電頻率，以確保系統(tǒng)數(shù)據(jù)的完整性。

4、DDR4：DDR4增加了DBI（DataBusInversion）、CRC（CyclicRedundancyCheck）、CAparity等功能，讓DDR4內(nèi)存在更快速與更省電的同時(shí)亦能夠增強(qiáng)信號(hào)的完整性、改善數(shù)據(jù)傳輸及儲(chǔ)存的可靠性。

二、傳輸速率不同

1、DDR1：DDR1的傳輸速率介于266～400MT／s之間。

2、DDR2：DDR2的傳輸速率介于533～800MT／s之間。

3、DDR3：DDR3的傳輸速率介于1066～1600MT／s之間。

4、DDR4：DDR4的傳輸速率介于2133～3200MT／s之間。

三、電壓頻率不同

1、DDR1：DDR1使用的電壓是2．5V，頻率有200、266、333、400四種。

2、DDR2：DDR2使用的電壓是1．8V，頻率有533，667，800三種。

3、DDR3：DDR3使用的電壓是1．5V。頻率有1066、1333、1600、2133四種。

4、DDR4：DDR4使用的電壓是1．2V。頻率有3000、2666、3200、2400、2933五種。

擴(kuò)展資料：

內(nèi)存條區(qū)分方法：

1、DDR1，也就是一代內(nèi)存條。這種內(nèi)存條的內(nèi)存顆粒足足有二代三代的兩倍，一看就知道是落后工藝，舊時(shí)代的產(chǎn)品。配有一代內(nèi)存的電腦，cpu是單核的，配著IDE接口的硬盤，看視頻無法流暢觀看。

頻率為400MHZ,容量只有512M，也就是0.5G。頻率才是關(guān)鍵。一代內(nèi)存條的頻率有333MHZ和400MHZ，所以標(biāo)簽上的400就足以證明它是一代內(nèi)存條。容量不是關(guān)鍵，一代內(nèi)存條有1G容量的，三代內(nèi)存條也有1G容量的。

2、二代內(nèi)存條有533,667,800三種頻率。它們都屬于二代內(nèi)存條，外觀，接口都是一樣的，相互兼容，可以共用。只不過高頻率的內(nèi)存條要遷就低頻率的內(nèi)存條。假如一臺(tái)電腦上同時(shí)插有800MHZ和533MHZ的兩條內(nèi)存條，那電腦就只能工作在533MHZ頻率下，性能上會(huì)有點(diǎn)折損。

3、三代內(nèi)存條的頻率一般有1066，1333,1600,2133,用得比較多的是1333，1600。是市場(chǎng)比較流行的。

4、上面的較長(zhǎng)內(nèi)存條是臺(tái)式機(jī)電腦用的。筆記本內(nèi)存條為了適應(yīng)筆記本的大小，做成短的。主要辨別方法也是看標(biāo)簽。

5、筆記本的內(nèi)存條相信是比較容易區(qū)分一二三代的。只需看PC這個(gè)字樣就OK了。PC代表一代，PC2代表二代，PC3代表三代。ddr400后面的頻率是200MHZ，因?yàn)镈DR是雙倍速率的，實(shí)際速率還是400MHZ.

臺(tái)式電腦內(nèi)存條怎么分類？一代二代三代具體怎么分？

DDR1,DDR2,DDR3內(nèi)存條（DDR是DoubleDataRate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的英文縮寫）就是俗稱的一二三代內(nèi)存條。這三種內(nèi)存條工藝不同，接口不同，性能不同，互不兼容。要區(qū)分它們，也不難。

1、DDR1是最好區(qū)分的一種，也就是一代內(nèi)存條。這種內(nèi)存條由于工藝落后，內(nèi)存顆粒有二代三代的兩倍。一代內(nèi)存條的頻率有333MHZ和400MHZ，通過觀察內(nèi)存條上的標(biāo)簽便知。

2、DDR2即二代內(nèi)存條共有533、667、800三種頻率，這三種不同頻率的內(nèi)存條在外觀，接口都是一樣的，相互兼容，可以共用。

3、DDR3也就是三代內(nèi)存條的頻率一般有1066、1333、1600、2133這四種，通常用得比較多的是1333，1600這兩種。

ddr2內(nèi)存條最大容量

DDR2內(nèi)存單條最大只有4G的，但是大部分二代主板都不支持單條4GB的內(nèi)存。能裝幾條要看你的主板支持幾條，最大支持多少GB的內(nèi)存。

1、DDR2的主板，支持多大內(nèi)存，要看主板的芯片組以及廠家的bios的設(shè)定。

2、DDR2代的主板，一般都可以支持到單條4G的內(nèi)存。如果是臺(tái)式機(jī)，4個(gè)內(nèi)存插槽，就可以支持4x4=16G的總內(nèi)存。

3、一些大品牌的廠家的頂級(jí)主板，可以支持到8GB的單條內(nèi)存。所以，DDR2并沒有4+2的限制?？赡軅€(gè)別主板有問題，但不是通行的規(guī)律。

簡(jiǎn)介。

由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOPⅡ封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

回想起DDR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個(gè)人電腦的DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度。

隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對(duì)內(nèi)存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運(yùn)行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢(shì)所趨。

內(nèi)存ddr2有534

內(nèi)存ddr2有534，可以把你那個(gè)534丟掉了，換個(gè)800的2g的。

只要內(nèi)存條質(zhì)量沒問題。是正品行貨的，應(yīng)該能兼容的。完全沒問題。不會(huì)死機(jī)藍(lán)屏的。其實(shí)現(xiàn)在二手2gddr2800臺(tái)式機(jī)內(nèi)存也就30左右。直接買一條就行了。

DDR2/DDRII（DoubleDataRate2）SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降沿同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍以上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取）。換句話說，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。

由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-Ⅱ封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)?；叵肫餌DR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個(gè)人電腦的DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對(duì)內(nèi)存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運(yùn)行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢(shì)所趨。

金士頓臺(tái)式機(jī)內(nèi)存條DDR28002G，寬版和窄版的有什么區(qū)別

一、主體不同

1、寬版：正常體積的內(nèi)存，內(nèi)存顆粒功耗正常，發(fā)熱大于窄版。

2、窄版：內(nèi)存很好的控制了體積，內(nèi)存顆粒功耗更低，發(fā)熱也得到了進(jìn)一步的控制。

二、特點(diǎn)不同

1、寬版：在性能與成本之間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的市場(chǎng)空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進(jìn)，最終彌補(bǔ)內(nèi)存帶寬上的不足。

2、窄版：搭配了窄版內(nèi)存可以讓機(jī)箱內(nèi)節(jié)約出更多的空間，不僅能讓機(jī)箱內(nèi)布局更加美觀，對(duì)于機(jī)箱內(nèi)部空氣流動(dòng)，加強(qiáng)整機(jī)散熱也大有好處。

三、封裝不同

1、寬版：能夠在100MHz的發(fā)信頻率基礎(chǔ)上提供每插腳最少400MB/s的帶寬，而且其接口將運(yùn)行于1.8V電壓上，從而進(jìn)一步降低發(fā)熱量，以便提高頻率。

2、窄版：采用了BGA封裝，新的封裝方式使內(nèi)存顆粒占用的面積只有原來的不到1/2。

參考資料來源：百度百科-窄版內(nèi)存

參考資料來源：百度百科-內(nèi)存

電腦內(nèi)存條DDR和DDR2、DDR3有什么區(qū)別?

首先無論DDRDDR2還是DDR3，其工作頻率主要有以下幾種100MHz133MHz167MHz200MHz等\x0d\x0aDDR采用一個(gè)周期來回傳遞一次數(shù)據(jù)，因此傳輸在同時(shí)間加倍，因此就像工作在兩倍的工作頻率一樣。為了直觀，以等效的方式命名，因此命名為DDR200266333400\x0d\x0aDDR2盡管工作頻率沒有變化，數(shù)據(jù)傳輸位寬由DDR的2bit變?yōu)?bit，那么同時(shí)間傳遞數(shù)據(jù)是DDR的兩倍，因此也用等效頻率命名，分別為DDR2400533667800\x0d\x0aDDR3內(nèi)存也沒有增加工作頻率，繼續(xù)提升數(shù)據(jù)傳輸位寬變?yōu)?bit，為DDR2兩倍，因此也在同樣工作頻率下達(dá)到更高帶寬，因此用等效方式命名DDR3800106613331600\x0d\x0a所以可以看到，如DDR400DDR2800DDR31600內(nèi)存工作頻率沒有區(qū)別，只是由于傳輸數(shù)據(jù)位寬倍增，導(dǎo)致帶寬的增加。\x0d\x0a\x0d\x0a而內(nèi)存的真正工作頻率決定了延遲了，DDR400與DDR2800真實(shí)工作頻率相同，后者帶寬是前者一倍，延遲上一樣。如果是DDR400與DDR2667，那后者雖然帶寬更大，不過其真實(shí)頻率反而低一些，延遲上略大。\x0d\x0a\x0d\x0a另外，內(nèi)存在升級(jí)發(fā)展過程中，其工作電壓一直在降低，因此在性能提升的同時(shí)，功耗也在逐漸變小。\x0d\x0a\x0d\x0a至于說到接口，三者都不一樣，在內(nèi)存上有一個(gè)小缺口，三種內(nèi)存的小缺口都不在同一位置，因此只能插在對(duì)應(yīng)的插槽上。不能兼容。