筆記本內(nèi)存ddr2和ddr3區(qū)別,筆記本ddr內(nèi)存條和ddr2兼容嗎

電腦內(nèi)存條DDR和DDR2、DDR3有什么區(qū)別?

首先無論DDRDDR2還是DDR3，其工作頻率主要有以下幾種100MHz133MHz167MHz200MHz等\x0d\x0aDDR采用一個(gè)周期來回傳遞一次數(shù)據(jù)，因此傳輸在同時(shí)間加倍，因此就像工作在兩倍的工作頻率一樣。為了直觀，以等效的方式命名，因此命名為DDR200266333400\x0d\x0aDDR2盡管工作頻率沒有變化，數(shù)據(jù)傳輸位寬由DDR的2bit變?yōu)?bit，那么同時(shí)間傳遞數(shù)據(jù)是DDR的兩倍，因此也用等效頻率命名，分別為DDR2400533667800\x0d\x0aDDR3內(nèi)存也沒有增加工作頻率，繼續(xù)提升數(shù)據(jù)傳輸位寬變?yōu)?bit，為DDR2兩倍，因此也在同樣工作頻率下達(dá)到更高帶寬，因此用等效方式命名DDR3800106613331600\x0d\x0a所以可以看到，如DDR400DDR2800DDR31600內(nèi)存工作頻率沒有區(qū)別，只是由于傳輸數(shù)據(jù)位寬倍增，導(dǎo)致帶寬的增加。\x0d\x0a\x0d\x0a而內(nèi)存的真正工作頻率決定了延遲了，DDR400與DDR2800真實(shí)工作頻率相同，后者帶寬是前者一倍，延遲上一樣。如果是DDR400與DDR2667，那后者雖然帶寬更大，不過其真實(shí)頻率反而低一些，延遲上略大。\x0d\x0a\x0d\x0a另外，內(nèi)存在升級(jí)發(fā)展過程中，其工作電壓一直在降低，因此在性能提升的同時(shí)，功耗也在逐漸變小。\x0d\x0a\x0d\x0a至于說到接口，三者都不一樣，在內(nèi)存上有一個(gè)小缺口，三種內(nèi)存的小缺口都不在同一位置，因此只能插在對(duì)應(yīng)的插槽上。不能兼容。

內(nèi)存卡DDR1，DDR2，DDR3，DDR4都有什么區(qū)別，什么意思？

內(nèi)存卡DDR1，DDR2，DDR3，DDR4區(qū)別為：功能不同、傳輸速率不同、電壓頻率不同。

一、功能不同

1、DDR1：DDR1在單一周期內(nèi)可讀取或?qū)懭?次。

2、DDR2：DDR2新增了BankGroup數(shù)據(jù)組的設(shè)計(jì)，各個(gè)BankGroup具備獨(dú)立啟動(dòng)操作讀、寫等動(dòng)作特性。

3、DDR3：DDR3新增ASR（AutomaticSelf－Refresh）、SRT（Self－RefreshTemperature）等兩種功能，讓內(nèi)存在休眠時(shí)也能夠隨著溫度變化去控制對(duì)內(nèi)存顆粒的充電頻率，以確保系統(tǒng)數(shù)據(jù)的完整性。

4、DDR4：DDR4增加了DBI（DataBusInversion）、CRC（CyclicRedundancyCheck）、CAparity等功能，讓DDR4內(nèi)存在更快速與更省電的同時(shí)亦能夠增強(qiáng)信號(hào)的完整性、改善數(shù)據(jù)傳輸及儲(chǔ)存的可靠性。

二、傳輸速率不同

1、DDR1：DDR1的傳輸速率介于266～400MT／s之間。

2、DDR2：DDR2的傳輸速率介于533～800MT／s之間。

3、DDR3：DDR3的傳輸速率介于1066～1600MT／s之間。

4、DDR4：DDR4的傳輸速率介于2133～3200MT／s之間。

三、電壓頻率不同

1、DDR1：DDR1使用的電壓是2．5V，頻率有200、266、333、400四種。

2、DDR2：DDR2使用的電壓是1．8V，頻率有533，667，800三種。

3、DDR3：DDR3使用的電壓是1．5V。頻率有1066、1333、1600、2133四種。

4、DDR4：DDR4使用的電壓是1．2V。頻率有3000、2666、3200、2400、2933五種。

擴(kuò)展資料：

內(nèi)存條區(qū)分方法：

1、DDR1，也就是一代內(nèi)存條。這種內(nèi)存條的內(nèi)存顆粒足足有二代三代的兩倍，一看就知道是落后工藝，舊時(shí)代的產(chǎn)品。配有一代內(nèi)存的電腦，cpu是單核的，配著IDE接口的硬盤，看視頻無法流暢觀看。

頻率為400MHZ,容量只有512M，也就是0.5G。頻率才是關(guān)鍵。一代內(nèi)存條的頻率有333MHZ和400MHZ，所以標(biāo)簽上的400就足以證明它是一代內(nèi)存條。容量不是關(guān)鍵，一代內(nèi)存條有1G容量的，三代內(nèi)存條也有1G容量的。

2、二代內(nèi)存條有533,667,800三種頻率。它們都屬于二代內(nèi)存條，外觀，接口都是一樣的，相互兼容，可以共用。只不過高頻率的內(nèi)存條要遷就低頻率的內(nèi)存條。假如一臺(tái)電腦上同時(shí)插有800MHZ和533MHZ的兩條內(nèi)存條，那電腦就只能工作在533MHZ頻率下，性能上會(huì)有點(diǎn)折損。

3、三代內(nèi)存條的頻率一般有1066，1333,1600,2133,用得比較多的是1333，1600。是市場(chǎng)比較流行的。

4、上面的較長內(nèi)存條是臺(tái)式機(jī)電腦用的。筆記本內(nèi)存條為了適應(yīng)筆記本的大小，做成短的。主要辨別方法也是看標(biāo)簽。

5、筆記本的內(nèi)存條相信是比較容易區(qū)分一二三代的。只需看PC這個(gè)字樣就OK了。PC代表一代，PC2代表二代，PC3代表三代。ddr400后面的頻率是200MHZ，因?yàn)镈DR是雙倍速率的，實(shí)際速率還是400MHZ.

筆記本內(nèi)存條ddr2和ddr3的區(qū)別

簡單的講就是省電

高頻

功耗小

熱小

通用，對(duì)電腦的要求是需要主板支持。

DDR3可以看作是DDR2的改進(jìn)版，二者有很多相同之處，例如采用1.8V標(biāo)準(zhǔn)電壓、主要采用144Pin球形針腳的FBGA封裝方式。不過DDR3核心有所改進(jìn)：DDR3采用0.11微米生產(chǎn)工藝，耗電量較DDR2明顯降低。此外，DDR3顯存采用了“Pseudo

Open

Drain”接口技術(shù)，只要電壓合適，主板芯片可直接支持DDR3。當(dāng)然，內(nèi)存顆粒較長的延遲時(shí)間(CAS

latency)一直是高頻率顯存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CAS

latency為5/6/7/8，相比之下DDR2為3/4/5?？陀^地說，DDR3相對(duì)于DDR2在技術(shù)上并無突飛猛進(jìn)的進(jìn)步，但DDR3的性能優(yōu)勢(shì)仍比較明顯：

(1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓(xùn)，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。

(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度彌補(bǔ)了延遲時(shí)間較長的缺點(diǎn)。

(3)降低整體成本：DDR2顆粒規(guī)格多為4M

X

32bit，128MB便需8顆。而DDR3規(guī)格多為8M

X

32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構(gòu)成128MB。如此一來，PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數(shù)減少后，功耗也能進(jìn)一步降低。

(4)通用性好：相對(duì)于DDR變更到DDR2，DDR3對(duì)DDR2的兼容性更好。由于針腳、封裝等關(guān)鍵特性不變，稍加修改便能采用DDR3，這對(duì)廠商降低成本大有好處。