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筆記本內(nèi)存條電壓是多少,筆記本內(nèi)存條電壓高低怎么區(qū)分

華碩筆記本vm400c內(nèi)存條電壓多少華碩筆記本vm400c內(nèi)存條電壓是1.35v板載0/2/4GB內(nèi)存+支持DDR3L低壓1600MHz內(nèi)存,1xSO-DIMM插槽(最大支持8GB),系統(tǒng)內(nèi)存最高可擴充至12GB內(nèi)

華碩筆記本vm400c內(nèi)存條電壓多少

華碩筆記本vm400c內(nèi)存條電壓是1.35v

板載0/2/4GB內(nèi)存+支持DDR3L低壓1600MHz內(nèi)存,1xSO-DIMM插槽(最大支持8GB),系統(tǒng)內(nèi)存最高可擴充至12GB內(nèi)存(需操作系統(tǒng)支持)

筆記本內(nèi)存條工作電壓一般是多少

低電壓內(nèi)存(1.25V/1.35V),普通內(nèi)存(1.5V);

隨著工藝的提升和更多的續(xù)航時間,新出的電腦很多都采用了低電壓內(nèi)存;

低電壓的內(nèi)存要比普通內(nèi)存好,它的功耗低發(fā)熱少擁有比普通內(nèi)存更大的超頻空間;

而且現(xiàn)在的低電壓內(nèi)存制作工藝比普通內(nèi)存要精細(xì);

低電壓內(nèi)存也更符合我們環(huán)保的概念,使用低電壓內(nèi)存后整機的功耗都會降低,卻又不失出色的性能。

筆記本內(nèi)存條電壓1.35還是1.5在哪看

一般來說,針對DDR3內(nèi)存條類型,是區(qū)分標(biāo)壓和低壓版本的,標(biāo)壓版本標(biāo)記為DDR3,低壓版本標(biāo)記為DDR3L。如果是標(biāo)壓版本,可以看到內(nèi)存電壓為1.5V。如果是低壓版本的話,可以看到內(nèi)存電壓為1.35V。

本文分類:科技

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發(fā)布日期:2023-05-01 11:45:05

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