ddr1筆記本內(nèi)存條,筆記本內(nèi)存條ddr2

如何辨別筆記本內(nèi)存條幾代的？？

如果是單個的內(nèi)存條，沒有裝在電腦里面，根據(jù)內(nèi)存條標(biāo)簽注明的型號來判斷：

3200、4300、5300、6400字樣的，都是DDR2代內(nèi)存，低于此范圍的是一代，高于此范圍一般是三代。

如果內(nèi)存條上沒有標(biāo)簽，或者標(biāo)簽上的字跡難以辨認，數(shù)一下內(nèi)存條金手指就可以判斷是幾代內(nèi)存：

92×2（兩面分別有92個金手指）是DDR1內(nèi)存；

120×2是DDR2內(nèi)存。

以上指的是臺式機內(nèi)存條。如果是筆記本內(nèi)存條，214pin或244pin都是DDR2內(nèi)存；172pin、200pin的是一代內(nèi)存；其他一般是三代內(nèi)存。

如果內(nèi)存條裝在電腦里面，用CPU-Z等軟件可以查看內(nèi)存條具體型號和詳細參數(shù)。

如何區(qū)分筆記本內(nèi)存條1代、2代和3代？

DDR400這種就是一代。

DDR2800這種就是2代。

DDR3就是三代。

ddr1，2，3代內(nèi)存的外觀區(qū)別

DDR1：

一個缺口、單面92針腳、雙面184針腳、左52右40、內(nèi)存顆粒長方形

DDR2：

一個缺口、單面120針腳、雙面240針腳、左64右56、內(nèi)存顆粒正方形、電壓1.8V

DDR3：

一個缺口、單面120針腳、雙面240針腳、左72右48、內(nèi)存顆粒正方形、電壓1.5V

一小時60題2015-9-26

筆記本電腦DDR1,DDR2,DDR3內(nèi)存條的區(qū)別

這個是內(nèi)存的進步，DDR

1

DDR2

DDR

3DDR2與DDR的區(qū)別

與DDR相比，DDR2最主要的改進是在內(nèi)存模塊速度相同的情況下，可以提供相當(dāng)于DDR內(nèi)存兩倍的帶寬。這主要是通過在每個設(shè)備上高效率使用兩個DRAM核心來實現(xiàn)的。作為對比，在每個設(shè)備上DDR內(nèi)存只能夠使用一個DRAM核心。技術(shù)上講，DDR2內(nèi)存上仍然只有一個DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中處理4個數(shù)據(jù)而不是兩個數(shù)據(jù)。

DDR2與DDR的區(qū)別示意圖

與雙倍速運行的數(shù)據(jù)緩沖相結(jié)合，DDR2內(nèi)存實現(xiàn)了在每個時鐘周期處理多達4bit的數(shù)據(jù)，比傳統(tǒng)DDR內(nèi)存可以處理的2bit數(shù)據(jù)高了一倍。DDR2內(nèi)存另一個改進之處在于，它采用FBGA封裝方式替代了傳統(tǒng)的TSOP方式。

然而，盡管DDR2內(nèi)存采用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們?nèi)匀灰褂眯轮靼宀拍艽钆銬DR2內(nèi)存，因為DDR2的物理規(guī)格和DDR是不兼容的。首先是接口不一樣，DDR2的針腳數(shù)量為240針，而DDR內(nèi)存為184針；其次，DDR2內(nèi)存的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR內(nèi)存的2.5V不同。

DDR2的定義：

DDR2（Double

Data

Rate

2）

SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。?。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。

此外，由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實的基礎(chǔ)?；叵肫餌DR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個人電腦的DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對內(nèi)存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢所趨。

DDR2與DDR的區(qū)別：

在了解DDR2內(nèi)存諸多新技術(shù)前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術(shù)對比的數(shù)據(jù)。

1、延遲問題：

從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的4BIT預(yù)讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。

這樣也就出現(xiàn)了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內(nèi)存中，后者的內(nèi)存延時要慢于前者。舉例來說，DDR

200和DDR2-400具有相同的延遲，而后者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR

400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高于DDR400。

2、封裝和發(fā)熱量：

DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。

DDR內(nèi)存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當(dāng)頻率更高時，它過長的管腳就會產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP封裝形式，F(xiàn)BGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了良好的保障。

DDR2內(nèi)存采用1.8V電壓，相對于DDR標(biāo)準(zhǔn)的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量，這一點的變化是意義重大的。

DDR2采用的新技術(shù)：

除了以上所說的區(qū)別外，DDR2還引入了三項新的技術(shù)，它們是OCD、ODT和Post

CAS。

OCD（Off-Chip

Driver）：也就是所謂的離線驅(qū)動調(diào)整，DDR

II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR

II通過調(diào)整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質(zhì)。

ODT：ODT是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器。我們知道使用DDR

SDRAM的主板上面為了防止數(shù)據(jù)線終端反射信號需要大量的終結(jié)電阻。它大大增加了主板的制造成本。實際上，不同的內(nèi)存模組對終結(jié)電路的要求是不一樣的，終結(jié)電阻的大小決定了數(shù)據(jù)線的信號比和反射率，終結(jié)電阻小則數(shù)據(jù)線信號反射低但是信噪比也較低；終結(jié)電阻高，則數(shù)據(jù)線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結(jié)電阻并不能非常好的匹配內(nèi)存模組，還會在一定程度上影響信號品質(zhì)。DDR2可以根據(jù)自已的特點內(nèi)建合適的終結(jié)電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質(zhì)，這是DDR不能比擬的。

Post

CAS：它是為了提高DDR

II內(nèi)存的利用效率而設(shè)定的。在Post

CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號后面的一個時鐘周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive

Latency）后面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive

Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設(shè)置。由于CAS信號放在了RAS信號后面一個時鐘周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產(chǎn)生碰撞沖突。

總的來說，DDR2采用了諸多的新技術(shù)，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術(shù)的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決

內(nèi)存卡DDR1，DDR2，DDR3，DDR4都有什么區(qū)別，什么意思？

內(nèi)存卡DDR1，DDR2，DDR3，DDR4區(qū)別為：功能不同、傳輸速率不同、電壓頻率不同。

一、功能不同

1、DDR1：DDR1在單一周期內(nèi)可讀取或?qū)懭?次。

2、DDR2：DDR2新增了BankGroup數(shù)據(jù)組的設(shè)計，各個BankGroup具備獨立啟動操作讀、寫等動作特性。

3、DDR3：DDR3新增ASR（AutomaticSelf－Refresh）、SRT（Self－RefreshTemperature）等兩種功能，讓內(nèi)存在休眠時也能夠隨著溫度變化去控制對內(nèi)存顆粒的充電頻率，以確保系統(tǒng)數(shù)據(jù)的完整性。

4、DDR4：DDR4增加了DBI（DataBusInversion）、CRC（CyclicRedundancyCheck）、CAparity等功能，讓DDR4內(nèi)存在更快速與更省電的同時亦能夠增強信號的完整性、改善數(shù)據(jù)傳輸及儲存的可靠性。

二、傳輸速率不同

1、DDR1：DDR1的傳輸速率介于266～400MT／s之間。

2、DDR2：DDR2的傳輸速率介于533～800MT／s之間。

3、DDR3：DDR3的傳輸速率介于1066～1600MT／s之間。

4、DDR4：DDR4的傳輸速率介于2133～3200MT／s之間。

三、電壓頻率不同

1、DDR1：DDR1使用的電壓是2．5V，頻率有200、266、333、400四種。

2、DDR2：DDR2使用的電壓是1．8V，頻率有533，667，800三種。

3、DDR3：DDR3使用的電壓是1．5V。頻率有1066、1333、1600、2133四種。

4、DDR4：DDR4使用的電壓是1．2V。頻率有3000、2666、3200、2400、2933五種。

擴展資料：

內(nèi)存條區(qū)分方法：

1、DDR1，也就是一代內(nèi)存條。這種內(nèi)存條的內(nèi)存顆粒足足有二代三代的兩倍，一看就知道是落后工藝，舊時代的產(chǎn)品。配有一代內(nèi)存的電腦，cpu是單核的，配著IDE接口的硬盤，看視頻無法流暢觀看。

頻率為400MHZ,容量只有512M，也就是0.5G。頻率才是關(guān)鍵。一代內(nèi)存條的頻率有333MHZ和400MHZ，所以標(biāo)簽上的400就足以證明它是一代內(nèi)存條。容量不是關(guān)鍵，一代內(nèi)存條有1G容量的，三代內(nèi)存條也有1G容量的。

2、二代內(nèi)存條有533,667,800三種頻率。它們都屬于二代內(nèi)存條，外觀，接口都是一樣的，相互兼容，可以共用。只不過高頻率的內(nèi)存條要遷就低頻率的內(nèi)存條。假如一臺電腦上同時插有800MHZ和533MHZ的兩條內(nèi)存條，那電腦就只能工作在533MHZ頻率下，性能上會有點折損。

3、三代內(nèi)存條的頻率一般有1066，1333,1600,2133,用得比較多的是1333，1600。是市場比較流行的。

4、上面的較長內(nèi)存條是臺式機電腦用的。筆記本內(nèi)存條為了適應(yīng)筆記本的大小，做成短的。主要辨別方法也是看標(biāo)簽。

5、筆記本的內(nèi)存條相信是比較容易區(qū)分一二三代的。只需看PC這個字樣就OK了。PC代表一代，PC2代表二代，PC3代表三代。ddr400后面的頻率是200MHZ，因為DDR是雙倍速率的，實際速率還是400MHZ.